类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：200V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　漏极电流(Id)：42A
　　导通电阻(Rds(on))：0.055Ω
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-247

IXTM42N20具有多项出色的性能特点，首先是其高电压耐受能力，可承受高达200V的漏源电压（Vds），适用于高压电源转换和电机控制应用。该器件的低导通电阻（Rds(on)）为0.055Ω，这意味着在导通状态下其功耗较低，有助于提高系统效率并减少发热。
　　此外，IXTM42N20支持高达42A的连续漏极电流（Id），使其能够应对高功率负载的需求。该MOSFET具备较强的过流和短路耐受能力，适合用于要求高可靠性的工业环境。其栅源电压范围为±30V，提供良好的栅极驱动兼容性，并支持常见的12V或15V驱动电路。
　　在热管理方面，TO-247封装具有良好的散热性能，能够有效将热量传导至散热片或外部环境，确保器件在高负载下仍能稳定运行。此外，该器件的工作温度范围宽达-55°C至175°C，适用于严苛的环境条件。

IXTM42N20广泛应用于多种功率电子系统中，包括工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、DC-DC转换器以及各种高电压开关电路。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效能电源转换和能量管理系统的理想选择。
　　在工业自动化领域，该MOSFET可用于控制大功率电机和执行机构，实现精准的电力控制。在新能源应用中，如太阳能逆变器和储能系统，IXTM42N20的高效率和高可靠性能够提升整体系统的性能和寿命。
　　此外，该器件也适用于高频开关电源和同步整流器，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统效率。由于其良好的热性能和耐用性，IXTM42N20也可用于车载电源系统和电动汽车的功率管理模块。

IXFH42N20P, IRFP4668, FDP42N20