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PSMN3R3-80PS,127 发布时间 时间:2025/9/14 7:33:06 查看 阅读:11

PSMN3R3-80PS,127是一款由Nexperia(安世半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高功率密度和高效率的电源管理系统中。该器件采用先进的Trench肖特基技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电源管理单元等应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):80V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):120A(在Tc=25°C时)
  功耗(Ptot):90W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:PowerSO-10
  导通电阻(Rds(on)):3.3mΩ(最大值,Vgs=10V)
  栅极电荷(Qg):72nC(典型值)
  漏源击穿电压(BVDSS):80V

特性

PSMN3R3-80PS,127具有多项优异的电气和热性能,确保其在高压和高电流条件下稳定运行。其核心特性包括:
  1. **低导通电阻**:最大Rds(on)为3.3mΩ,显著降低了导通损耗,提高了系统效率。
  2. **高电流处理能力**:额定漏极电流高达120A,适用于高功率应用,如电源转换器和电动工具。
  3. **先进封装技术**:采用PowerSO-10封装,具备良好的热管理性能,能够在高温环境下稳定运行。
  4. **宽工作温度范围**:支持-55°C至175°C的宽温度范围,适用于严苛的工业环境和汽车应用。
  5. **快速开关性能**:由于优化的栅极设计和低栅极电荷(Qg=72nC),该器件在高频开关应用中表现出色,有助于提高电源转换效率。
  6. **过热和过载保护**:器件具备一定的过载和热稳定性,确保在异常工作条件下仍能维持可靠性。

应用

PSMN3R3-80PS,127广泛应用于需要高效率和高功率密度的电子系统中,具体应用包括:
  1. **DC-DC转换器**:用于服务器、通信设备和工业电源中的高效能电压转换模块。
  2. **电机驱动**:适用于电动工具、无人机和机器人等高电流电机控制电路。
  3. **电池管理系统**:在电动车辆(如电动车、电动自行车)和储能系统中用作高电流开关。
  4. **电源管理单元**:用于笔记本电脑、平板电脑和服务器等设备的电源分配和管理。
  5. **LED照明驱动**:适用于高功率LED照明系统中的恒流控制和调光应用。

替代型号

IPD90N08S4-03, SiSS840DN, BSC080N08LS5, FDS8878, NVTFS5C471NL, INF1R11008EK

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PSMN3R3-80PS,127参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)80V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.3 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs139nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9961pF @ 40V
  • 功率 - 最大338W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称568-8597-5