时间：2025/7/9 17:28:56
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RF18N101F500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频和高功率射频应用设计。它采用增强型结构，支持零待机功耗操作，并具备出色的线性和效率特性。该器件适用于基站、雷达系统以及射频功率放大器等应用场景。
RF18N101F500CT 的核心优势在于其低导通电阻和高击穿电压能力，能够显著提高射频系统的整体性能。此外，由于其封装形式紧凑且热性能优异，因此非常适合空间受限和高效散热要求的设计。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：+6V/-3V
连续漏极电流：20A
峰值脉冲漏极电流：40A
输出功率：大于50W
导通电阻：10mΩ
工作频率范围：DC 至 6GHz
增益：10dB
热阻：0.2°C/W
封装形式：QFN 8x8mm
RF18N101F500CT 具备卓越的射频性能和可靠性。其 GaN 技术提供高击穿场强和低导通电阻，从而实现更高的功率密度和效率。
该器件具有良好的线性度，适用于需要高保真信号放大的场景。同时，其增强型结构确保了在栅极关闭时完全截止，简化了驱动电路设计并提高了系统稳定性。
此外，RF18N101F500CT 的紧凑封装和优化的热管理设计使其能够在高温环境下保持稳定的性能表现。这使得它成为需要高性能和高可靠性的射频功率应用的理想选择。
RF18N101F500CT 广泛应用于各种高功率射频领域，包括但不限于：
1. 无线通信基站中的射频功率放大器
2. 雷达系统中的发射模块
3. 航空航天设备中的信号放大组件
4. 医疗成像设备中的高频信号处理
5. 工业加热和等离子体生成等高功率射频负载
其宽广的工作频率范围和高效的功率转换能力，使其在上述应用中表现出色。
RF18N100F500CT
RF19N101F500CT
