TF6250N 时间：2025/8/3 2:27:11 阅读：24

TF6250N 是一款由 Toshiba（东芝）公司推出的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专门设计用于高效率的功率转换和管理应用。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下提供优异的性能，同时减少功率损耗。TF6250N 通常采用表面贴装封装（如SOP或DFN封装），适合用于空间受限的设计。由于其高性能和可靠性，TF6250N 常见于电源适配器、电池充电器、DC-DC转换器以及电机控制等应用中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：20V
　　栅极-源极击穿电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：4.8A
　　最大功率耗散（Pd）：2W
　　导通电阻（Rds(on)）：23mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

TF6250N 具备多项优秀的电气特性，确保其在各类功率应用中稳定运行。首先，其低导通电阻（Rds(on)）降低了导通损耗，从而提高了整体效率，并减少了散热需求。其次，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于降低开关损耗，使其适用于高频开关应用。此外，TF6250N 的热阻较低，能够有效散发工作过程中产生的热量，提高了器件的可靠性。该MOSFET还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了其在突发负载或瞬态条件下的稳定性。
　　在封装方面，TF6250N 通常采用紧凑型封装设计，适用于高密度PCB布局，同时具备良好的焊接可靠性和热循环稳定性。其封装材料符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，符合现代电子产品对环保的要求。

应用

TF6250N 主要用于需要高效能和紧凑设计的电源管理系统。其典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动器以及各种便携式电子设备中的功率控制电路。此外，该器件也广泛用于工业自动化设备、通信电源模块以及汽车电子系统中的功率管理部分。由于其良好的热性能和电气性能，TF6250N 也适用于需要高可靠性和长寿命的工业级应用。