时间：2025/7/12 1:10:21
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IRLR2908TR是来自英飞凌（Infineon）的一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件专为低导通电阻和高效率应用设计，适合用于负载开关、DC-DC转换器、同步整流以及电机驱动等场景。
这款MOSFET采用TO-252 (DPAK)封装形式，具有良好的散热性能和紧凑的外形，便于在空间受限的应用中使用。
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：64A
导通电阻(RDS(on))：1.7mΩ（在VGS=10V时）
总功耗(Ptot)：2.5W
工作温度范围(TJ)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
IRLR2908TR以其低导通电阻著称，这使其在高频开关应用中表现出色，同时减少了传导损耗。此外，其栅极阈值电压较低，非常适合逻辑电平驱动电路，无需额外的驱动级设计。
器件具备快速开关速度，有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。同时，该MOSFET支持高达175°C的工作结温，适应各种恶劣环境条件。
此外，其高电流处理能力（64A）和坚固的结构设计也保证了长期稳定性和可靠性，适用于需要高性能功率管理的场合。
IRLR2908TR广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 笔记本电脑及平板电脑适配器中的同步整流；
2. 通信电源和工业电源中的DC-DC转换器；
3. 汽车电子系统中的电机控制和负载切换；
4. 大功率LED驱动器中的开关元件；
5. 各类电池管理系统（BMS）中的充放电路径控制。
IRLR2907TR, IRLR2909TR
