RF18N100F251CT 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,主要应用于高频、高压和高效率的功率转换电路。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性,非常适合于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他功率管理应用。此外,RF18N100F251CT 的封装设计使其能够有效散热,从而提升整体系统的可靠性。
这款 MOSFET 支持高达 100V 的漏源极电压,并能在高频条件下保持高效的性能表现,因此广泛用于需要紧凑设计和高效能的应用场景。
漏源极电压(Vds):100V
连续漏极电流(Id):18A
导通电阻(Rds(on)):3.6mΩ
栅极电荷(Qg):49nC
输入电容(Ciss):2070pF
输出电容(Coss):240pF
反向传输电容(Crss):120pF
功耗(Ptot):130W
工作温度范围(Ta):-55℃ 至 +175℃
RF18N100F251CT 具有以下关键特性:
1. 高压操作能力,支持最高 100V 的漏源极电压,适用于多种工业级和消费级应用场景。
2. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为 3.6mΩ,能够显著降低功率损耗,提高系统效率。
3. 快速开关特性,得益于其较低的栅极电荷(Qg),可实现高频运行,减少磁性元件体积。
4. 优异的热稳定性,确保在高温环境下依然保持稳定的性能。
5. 小型化封装设计,节省 PCB 空间的同时提供出色的散热性能。
6. 宽广的工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),适应各种恶劣环境条件。
RF18N100F251CT 可用于以下典型应用:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器,特别是在需要高效率和高频工作的场合。
2. 电机驱动控制,如无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机的驱动电路。
3. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
4. 工业设备中的负载切换和保护电路。
5. 电动车和混合动力车的电池管理系统 (BMS)。
6. 高效 LED 驱动器和其他照明应用。
由于其卓越的电气特性和可靠性,RF18N100F251CT 成为众多功率转换和控制应用的理想选择。
RF18N100F252CT, IRF18N100F