IKW40N65F5FKSA1 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沐极型功率 MOSFET 芯片。该芯片专为高频开关应用设计,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于工业、汽车及消费类电子领域中的高效能电源转换场景。
此器件采用了先进的沟槽式技术,能够显著降低导通损耗并提高系统效率。同时,其出色的热性能和耐用性使其成为严苛工作环境下的理想选择。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:40A
导通电阻(Rds(on)):120mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:80nC(典型值)
总电容(Ciss):2500pF(典型值)
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247-3
1. IKW40N65F5FKSA1 使用了最新的沟槽式 MOSFET 技术,从而大幅降低了导通电阻 Rds(on),使得在高电流条件下仍能保持低功耗。
2. 具备快速开关能力,支持高达 100kHz 的开关频率,适合高频 DC-DC 转换器和 PFC(功率因数校正)电路。
3. 内置雪崩能量保护功能,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 提供卓越的热性能,允许长时间在高温环境下运行而不降低性能。
5. 符合 AEC-Q101 标准,确保其可靠性满足汽车级应用需求。
6. 封装形式采用标准 TO-247-3 引脚布局,方便集成到现有设计中。
IKW40N65F5FKSA1 广泛应用于需要高效率和高可靠性的功率转换场景,包括但不限于以下领域:
1. 工业设备中的变频驱动器和伺服控制器。
2. 太阳能逆变器中的 DC-AC 转换模块。
3. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的车载充电器与电机控制器。
4. 高功率 LED 照明系统的恒流驱动电路。
5. 不间断电源(UPS)以及各种开关模式电源(SMPS)。
IKW40N65F5LSA1
IPW40N65C6
IXYS IXFN40N65T2