电容值：220μF
　　容差：±20%
　　额定电压：6.3V
　　封装尺寸：0805（英制）
　　介质材料：X5R
　　温度范围：-55°C 至 +85°C
　　结构：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

BSME6R3ETD221MHB5D 是一款基于X5R陶瓷介质的多层陶瓷电容器，具有优异的温度稳定性，在-55°C至+85°C的温度范围内保持±15%以内的电容变化。该型号采用0805的紧凑型封装，适用于高密度PCB布局设计，同时具备良好的高频性能，适用于去耦、滤波和旁路应用。其额定电压为6.3V，适合用于低电压电源管理电路中。此外，该电容器采用无铅端子，符合RoHS标准，适用于自动化贴片工艺。
　　该器件的容差为±20%，适用于对电容精度要求不特别严苛但需要较高容量的电路应用。其结构设计优化了ESR（等效串联电阻）和ESL（等效串联电感），提升了整体的稳定性与抗干扰能力。BSME6R3ETD221MHB5D 采用了Murata先进的制造工艺，确保了在复杂电磁环境下的可靠运行。

BSME6R3ETD221MHB5D 主要用于便携式电子设备、移动电话、平板电脑、数码相机、音频设备等消费类电子产品中的电源去耦和滤波电路。由于其具备较高的电容值和良好的高频响应特性，也常用于DC-DC转换器、低压差稳压器（LDO）以及电源管理模块中的输入/输出滤波环节。此外，该电容器也适用于工业控制系统、传感器模块、嵌入式系统和物联网（IoT）设备等对空间和性能有较高要求的应用场景。
　　在高速数字电路中，该电容器可用于旁路去耦，以降低高频噪声和瞬态电压波动，提高系统稳定性。其紧凑的封装尺寸和优良的电气性能使其成为现代高密度PCB设计的理想选择。

GRM21BR60J226ME39L, C2012X5R0J226M