类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：110A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：440A
　　功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装形式：TO-220F

G2060CTFW MOSFET采用了先进的沟槽式工艺技术，具有非常低的导通电阻（典型值为5.6mΩ），这大大降低了导通损耗并提高了整体系统的效率。其高电流承载能力（110A）和耐压能力（60V）使其非常适合用于高功率密度设计。此外，该器件具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定运行。TO-220F封装不仅提供了良好的散热能力，还增强了机械强度和安装稳定性，适用于PCB板的插装和焊接。
　　该MOSFET具备快速开关特性，能够适应高频开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统等应用需求。其高栅极绝缘能力（±20V）提供了更强的抗干扰能力，避免了误触发和栅极击穿的风险。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于绿色电子设备制造。
　　在实际应用中，G2060CTFW具备良好的短路和过载保护能力，能够承受一定的瞬态过载而不损坏。其结构设计优化了电磁干扰（EMI）特性，有助于降低系统噪声，提高电源系统的整体稳定性。该MOSFET广泛应用于电源适配器、UPS不间断电源、LED驱动电源、电动工具和电动车控制系统等领域。

G2060CTFW广泛应用于各种功率电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、UPS不间断电源、LED驱动电源、工业控制设备、电动工具、电动车控制器等。由于其高电流和低导通电阻特性，特别适合用于需要高效率和高功率密度的场合。

SiHF60N110T、IRF1405、IPW60R110C6、FDP6030BL、NTMFS4C10N