您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RF18N0R9A500CT

RF18N0R9A500CT 发布时间 时间:2025/7/7 18:26:56 查看 阅读:12

RF18N0R9A500CT 是一款 N 沟道功率 MOSFET,适用于高频开关和高效能电源管理应用。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,可显著提高系统效率并降低功耗。
  RF18N0R9A500CT 通常用于 DC-DC 转换器、同步整流电路、电机驱动以及负载开关等场景。其出色的性能使其成为许多高要求应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:27A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷(典型值):38nC
  总热阻(结到环境):62°C/W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

RF18N0R9A500CT 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,可减少导通损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关速度,适合高频应用。
  3. 高雪崩能力,增强器件的鲁棒性和可靠性。
  4. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
  5. 宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. 同步整流电路中的功率开关。
  3. 电机控制与驱动中的功率级组件。
  4. 负载开关和保护电路中的开关元件。
  5. 电池管理系统(BMS)中的功率分配和保护开关。
  6. 工业自动化设备中的功率转换模块。

替代型号

RF18N0R9A500FT, RF18N0R9A500GT

RF18N0R9A500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.24891卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.9 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-