RF18N0R9A500CT 是一款 N 沟道功率 MOSFET,适用于高频开关和高效能电源管理应用。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,可显著提高系统效率并降低功耗。
RF18N0R9A500CT 通常用于 DC-DC 转换器、同步整流电路、电机驱动以及负载开关等场景。其出色的性能使其成为许多高要求应用的理想选择。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:27A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
栅极电荷(典型值):38nC
总热阻(结到环境):62°C/W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
RF18N0R9A500CT 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,可减少导通损耗,提升整体效率。
2. 快速开关速度,适合高频应用。
3. 高雪崩能力,增强器件的鲁棒性和可靠性。
4. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
5. 宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 同步整流电路中的功率开关。
3. 电机控制与驱动中的功率级组件。
4. 负载开关和保护电路中的开关元件。
5. 电池管理系统(BMS)中的功率分配和保护开关。
6. 工业自动化设备中的功率转换模块。
RF18N0R9A500FT, RF18N0R9A500GT