时间：2025/5/30 12:53:49
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LQP21A39NG14M00-03 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的低功耗 P 沟道功率 MOSFET。该器件采用了先进的工艺技术，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，非常适合用于负载开关、电源管理以及电池保护等应用。其封装形式为小型化设计，有助于节省电路板空间。
这款 MOSFET 在便携式电子设备中表现尤为出色，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他对能效要求较高的产品。
型号：LQP21A39NG14M00-03
品牌：ROHM
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：-30 V
最大栅极源极电压（Vgs）：±8 V
连续漏极电流（Id）：-6.5 A
导通电阻（Rds(on)）：120 mΩ（典型值，在 Vgs = -4.5V 时）
功耗（Ptot）：1.1 W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：USP-6B
LQP21A39NG14M00-03 的主要特点是其出色的低导通电阻性能，这可以显著降低在高电流条件下的功耗，从而提升整体效率。此外，器件具备良好的热稳定性，能够承受高温环境，并且支持快速开关操作，这对于动态负载变化的应用场景非常关键。
该元件还具有优异的静电防护能力，能够在生产及实际使用过程中提供更高的可靠性。其小型化的封装设计也使其成为紧凑型设计的理想选择。
LQP21A39NG14M00-03 广泛应用于各种需要高效电源管理和低功耗特性的场合。典型应用场景包括：
- 负载开关控制
- DC-DC 转换器中的同步整流
- 电池供电设备中的电源切换
- 可穿戴设备和物联网设备中的节能设计
- 各类手持设备和消费电子产品中的电源路径管理
LQP018N03SL-M, LQP018P03UL-M
