RF1660SB 是一款由 Renesas(瑞萨电子)推出的射频(RF)功率晶体管,属于其LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)产品系列。该器件专为高功率射频放大应用而设计,广泛用于无线通信基础设施、广播系统、测试设备和其他需要高效、高线性度放大能力的射频系统中。RF1660SB在UHF和VHF频段表现出色,能够提供高输出功率和良好的热稳定性。
类型:LDMOS射频功率晶体管
最大漏极电压:65V
最大漏极电流:30A
最大功率耗散:650W
工作频率范围:1MHz~500MHz
输出功率:典型1600W(CW模式)
增益:典型27dB
效率:典型65%
封装形式:气密陶瓷封装
工作温度范围:-65°C~+150°C
RF1660SB具有优异的射频性能和热管理能力,适合高功率密度应用。其LDMOS结构提供了良好的线性度和高效率,使其在通信系统中能有效减少信号失真并降低功耗。该晶体管采用气密陶瓷封装,确保在高功率和高温度环境下依然保持稳定的电气性能和机械强度。
这款器件的高输出功率能力使其成为广播发射机、工业加热设备和高功率测试设备中的理想选择。同时,RF1660SB具备良好的抗过载能力和高可靠性,能够在恶劣的工作条件下长时间运行而不影响性能。其设计还支持简单的散热管理,便于集成到各种射频放大器模块中。
此外,RF1660SB在宽频率范围内保持稳定的放大性能,适用于多频段和宽带应用。其高增益和高效率特性有助于减少系统功耗,提高整体能效,满足现代射频系统对节能和高性能的双重需求。
RF1660SB主要应用于广播发射机(如FM和TV广播)、工业和科学设备、高功率射频放大器、测试与测量设备以及无线通信基础设施。由于其高输出功率和良好的线性度,特别适合需要大功率连续波(CW)或脉冲信号放大的场合。
NXP BLF881A, STMicroelectronics LDMOS-2K25