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BUK7210-55B,118 发布时间 时间:2025/9/14 11:40:47 查看 阅读:10

BUK7210-55B,118 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛用于电源管理和功率开关应用,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。其主要设计用于在高电流和高频率条件下工作,适用于如电源转换器、DC-DC 转换器和负载开关等场景。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):55V
  栅源电压(Vgs):±10V
  连续漏极电流(Id):10A(在25°C环境温度下)
  导通电阻(Rds(on)):0.15Ω @ Vgs=10V
  功率耗散(Pd):35W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:TO-220
  引脚数:3

特性

BUK7210-55B,118 的主要特性之一是其较低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通损耗,提高系统效率。该器件在高电流负载下表现出色,能够在 10A 的连续漏极电流下稳定运行。此外,其高达 55V 的漏源电压额定值使其适用于多种中低压功率转换应用。
  另一个重要特性是其优异的热管理能力,TO-220 封装提供了良好的散热性能,有助于在高功率密度环境下保持较低的工作温度,从而提高器件的可靠性和寿命。此外,该 MOSFET 具有快速开关能力,适用于高频开关应用,如同步整流器和 DC-DC 转换器。
  栅极驱动方面,BUK7210-55B,118 的栅源电压为 ±10V,确保了稳定的导通和关断操作。其低栅极电荷(Qg)进一步降低了驱动损耗,提高了整体系统的能效。这种特性对于需要频繁开关操作的应用尤为重要,例如脉宽调制(PWM)控制电路。

应用

BUK7210-55B,118 广泛应用于多个领域,包括但不限于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统。在电源转换器中,它可用于升压(Boost)或降压(Buck)拓扑结构,实现高效的电压转换。
  在工业自动化和控制系统中,BUK7210-55B,118 可作为功率开关,用于控制大功率负载,如继电器、电磁阀和小型电机。其高电流承载能力和快速响应特性,使其成为开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS)中的理想选择。
  此外,该 MOSFET 还适用于消费类电子产品,如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源管理模块。在这些应用中,BUK7210-55B,118 的高效率和低发热特性有助于延长电池寿命并提升整体系统性能。

替代型号

IRFZ44N, FQP30N06L, BUK7214-55B,118, BUK7212-55B,118

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BUK7210-55B,118参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2453pF @ 25V
  • 功率 - 最大167W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称568-5843-6