BUK7210-55B,118 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛用于电源管理和功率开关应用,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。其主要设计用于在高电流和高频率条件下工作,适用于如电源转换器、DC-DC 转换器和负载开关等场景。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):55V
栅源电压(Vgs):±10V
连续漏极电流(Id):10A(在25°C环境温度下)
导通电阻(Rds(on)):0.15Ω @ Vgs=10V
功率耗散(Pd):35W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:TO-220
引脚数:3
BUK7210-55B,118 的主要特性之一是其较低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通损耗,提高系统效率。该器件在高电流负载下表现出色,能够在 10A 的连续漏极电流下稳定运行。此外,其高达 55V 的漏源电压额定值使其适用于多种中低压功率转换应用。
另一个重要特性是其优异的热管理能力,TO-220 封装提供了良好的散热性能,有助于在高功率密度环境下保持较低的工作温度,从而提高器件的可靠性和寿命。此外,该 MOSFET 具有快速开关能力,适用于高频开关应用,如同步整流器和 DC-DC 转换器。
栅极驱动方面,BUK7210-55B,118 的栅源电压为 ±10V,确保了稳定的导通和关断操作。其低栅极电荷(Qg)进一步降低了驱动损耗,提高了整体系统的能效。这种特性对于需要频繁开关操作的应用尤为重要,例如脉宽调制(PWM)控制电路。
BUK7210-55B,118 广泛应用于多个领域,包括但不限于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统。在电源转换器中,它可用于升压(Boost)或降压(Buck)拓扑结构,实现高效的电压转换。
在工业自动化和控制系统中,BUK7210-55B,118 可作为功率开关,用于控制大功率负载,如继电器、电磁阀和小型电机。其高电流承载能力和快速响应特性,使其成为开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS)中的理想选择。
此外,该 MOSFET 还适用于消费类电子产品,如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源管理模块。在这些应用中,BUK7210-55B,118 的高效率和低发热特性有助于延长电池寿命并提升整体系统性能。
IRFZ44N, FQP30N06L, BUK7214-55B,118, BUK7212-55B,118