VS-10MQ060NTRPbF 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管,属于 Vishay Siliconix 的 SQ 系列产品。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造,能够显著降低导通电阻 (Rds(on)),从而提高效率并减少功率损耗。它通常用于需要高效率和低功耗的应用场景中,例如 DC/DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等。
该器件支持逻辑电平栅极驱动,便于与常见的微控制器或驱动芯片配合使用。此外,其超薄的封装形式 (如 MLP 封装) 可以满足空间受限的设计需求。
类型:MOSFET
增强/耗尽型:增强型
极性:N 通道
Vgs(th):1.5V ~ 3.0V
Rds(on):4.5mΩ @ Vgs=10V
Vds:60V
Id:28A
Pd:2.7W
封装:MLP3333-8L
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
1. 使用 TrenchFET? 第三代技术,提供极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗。
2. 支持逻辑电平驱动,可直接由 3.3V 或 5V 控制信号驱动。
3. 高雪崩能量能力,增强了在异常条件下的可靠性。
4. 符合 RoHS 标准,无铅设计 (Pb-Free),适合环保要求严格的项目。
5. 提供卓越的热性能,确保长时间稳定运行。
6. 小型化封装适合紧凑型设计,同时保持良好的电气性能。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器中的同步整流。
2. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关和保护电路。
3. 消费类电子产品中的电机控制和驱动。
4. 工业自动化设备中的信号切换和功率管理。
5. 便携式设备的电源管理单元 (PMU)。
6. 充电器和适配器中的高效功率传输模块。
SiA450DJ, IRFZ44N, FDN337N