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KMA4D5P20XA 发布时间 时间:2025/9/12 13:53:58 查看 阅读:21

KMA4D5P20XA是一款由知名半导体制造商推出的高性能MOSFET功率晶体管,专为高效能开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具备高击穿电压、低导通电阻和优异的热性能,适用于电源管理、电机控制、工业自动化等高要求的电子系统。KMA4D5P20XA采用DIP封装,便于在各种电路板上安装和散热,同时具备良好的稳定性和可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:4A
  最大漏极-源极电压:200V
  最大栅极-源极电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):0.55Ω @ Vgs = 10V
  最大功耗:40W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220

特性

KMA4D5P20XA具有多个关键特性,使其在多种应用场景中表现出色。首先,其高击穿电压(200V)确保在高压环境下仍能稳定运行,适用于电力转换和电机驱动等应用。其次,该器件的低导通电阻(Rds(on))为0.55Ω,在导通状态下能够有效降低功耗,提高能效。此外,KMA4D5P20XA具备良好的热稳定性,最大功耗为40W,能够在高负载条件下长时间运行而不会过热损坏。
  该器件的栅极驱动电压范围宽广,最大栅极-源极电压为±20V,这使其兼容多种控制电路设计,便于集成到不同类型的电子系统中。KMA4D5P20XA的封装形式为TO-220,具备良好的散热性能,适合在需要高功率密度的设计中使用。此外,其工作温度范围广泛,从-55°C至+150°C,适用于各种严苛的工业环境。
  在可靠性方面,KMA4D5P20XA通过了严格的工业标准测试,具备出色的抗静电能力和过载保护能力,能够在恶劣的电磁环境中保持稳定的工作状态。这些特性使得KMA4D5P20XA成为工业电源、开关电源、直流电机控制以及自动控制系统的理想选择。

应用

KMA4D5P20XA广泛应用于多个领域,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动电路、工业自动化控制系统、LED照明驱动电路、电池管理系统(BMS)、家用电器控制板以及各种高电压、高电流的功率开关场合。其优异的电气特性和高可靠性使其成为工程师在设计高效率、高稳定性电子系统时的首选器件。

替代型号

KMA4D5P20XAG, KMA4D5P20XB, IRF840, FDPF840, STP4NK20Z, 2SK2647

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