时间：2025/5/26 19:41:26
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FN21X681K500PXG 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，适用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及优异的热性能，能够显著提升系统的整体效率和可靠性。
FN21X681K500PXG 的设计使其非常适合工业、通信电源、电机驱动以及消费类电子产品的应用领域。其封装形式优化了散热性能，同时支持表面贴装技术，便于自动化生产。
类型：MOSFET
极性：N-Channel
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：42A
导通电阻(Rds(on))：45mΩ
总功耗(Ptot)：395W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247-3
FN21X681K500PXG 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频功率转换应用。
3. 优秀的热稳定性，能够在高温环境下长期可靠运行。
4. 内置反向恢复二极管，减少开关过程中的能量损耗。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 封装设计支持高功率密度和高效的散热管理。
7. 良好的抗静电能力 (ESD)，提高器件在实际应用中的耐用性。
FN21X681K500PXG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 工业逆变器和不间断电源 (UPS) 系统。
4. 太阳能微逆变器和储能系统。
5. 电动车充电设备和车载电子系统。
6. 高压 DC-DC 转换器和 LED 驱动电路。
7. 任何需要高效率功率开关的场景。
IRFP260N, FDP067N06L, STP06NK60Z
