时间：2025/8/14 5:56:43
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MMBZ5256BV_R1_00001 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的表面贴装齐纳二极管（Zener Diode），采用SOT-23封装形式。该器件主要用于电压参考和稳压应用，适用于需要低功耗和高稳定性的电子电路设计。MMBZ5256BV_R1_00001 的额定齐纳电压为30V，能够提供稳定的电压参考，广泛应用于电源管理、电压监测和保护电路中。
齐纳电压（Vz）：30V
齐纳电流（Iz）：20mA
最大功耗（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
引脚数量：3
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
结温（Tj）：150°C
最大反向漏电流（IR）：100nA @ VR=1V
MMBZ5256BV_R1_00001 齐纳二极管具有多种优异的电气和机械特性。其主要特点是能够在较宽的电流范围内保持稳定的齐纳电压，确保电路的电压参考精度。该器件的齐纳电压公差为±5%，在标准测试条件下具有较高的电压稳定性。由于采用SOT-23封装，该器件体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。
该器件的额定功耗为300mW，支持在高温环境下正常工作。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种工业和汽车电子应用。MMBZ5256BV_R1_00001 还具有较低的动态阻抗，有助于减少电压波动对电路性能的影响，提高整体系统的稳定性。此外，其最大反向漏电流仅为100nA，在低电压反向偏置条件下能够有效减少能量损耗，适用于低功耗设计需求。
MMBZ5256BV_R1_00001 的引脚排列符合行业标准，便于自动化装配和焊接。其封装材料符合RoHS环保标准，适合现代绿色电子产品的制造要求。
MMBZ5256BV_R1_00001 齐纳二极管广泛应用于需要稳定电压参考的各种电子系统中。常见用途包括电源电路中的稳压参考源、电池管理系统中的电压检测电路、模拟和数字电路中的基准电压源等。在通信设备中，该器件可用于稳压控制和信号调节电路。在工业控制领域，可用于传感器信号调理和电压监控模块。此外，该器件还可用于LED驱动电路、DC-DC转换器和电压比较器等应用场景。由于其具备良好的温度稳定性和低漏电流特性，也适用于便携式电子设备和低功耗嵌入式系统的设计。
MMBZ5256B, MMBZ5256BW, 1N4750A, BZX84-C30
