KTA968A是一种N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。这种晶体管具有较高的电流和电压处理能力,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、音频放大器等需要高效能功率开关的场合。KTA968A通常采用TO-220或TO-252等封装形式,具有良好的散热性能,能够承受较高的工作温度。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):≤0.3Ω
最大功耗(Pd):30W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-220/TO-252
KTA968A的主要特性包括高耐压和大电流处理能力,使其适用于多种功率控制应用。其低导通电阻有助于降低导通损耗,提高系统的整体效率。此外,KTA968A具有快速开关特性,适合用于高频开关电路。该器件的热稳定性较好,能够在较高的温度环境下稳定工作,适合工业级应用。KTA968A的栅极驱动电压范围较宽,便于与多种控制电路兼容。其结构设计优化,具有较低的开关损耗,同时具备良好的抗过载能力。
KTA968A广泛应用于各种需要高功率开关控制的电路中。例如,在电源管理系统中,可用于DC-DC转换器和负载开关;在电机控制电路中,作为功率开关驱动直流电机;在音频放大器中,可用于功率放大级;在工业自动化设备中,用于控制各种执行机构。此外,KTA968A还可用于电池充电器、逆变器、LED驱动器等电源相关设备。
IRF540N, FQP10N60C, STP10NK60Z