RF1658TR7 时间：2025/8/15 19:37:02 阅读：17

RF1658TR7是一款由Renesas Electronics制造的射频（RF）功率晶体管，专为高频、高功率应用而设计。该器件基于先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，提供高效率和优异的线性度，适用于广泛的射频放大器应用，如通信基础设施、广播设备和工业测试仪器。RF1658TR7采用紧凑的表面贴装封装，便于在高密度电路板上安装，并具有良好的热管理和可靠性。

参数

类型：LDMOS RF功率晶体管
　　最大漏极电流（ID(max)）：250 mA
　　最大漏-源电压（VDS(max)）：65 V
　　频率范围：1.8 GHz - 2.2 GHz
　　输出功率：典型值为125 W（脉冲模式）
　　增益：23 dB（典型值）
　　效率：典型值为65%
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1（最大）
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：表面贴装，7引脚金属封装

特性

RF1658TR7具有多项优异特性，适用于高性能射频系统。首先，其工作频率范围覆盖1.8 GHz至2.2 GHz，适用于蜂窝通信、WiMAX、广播和其他无线基础设施应用。该器件能够在65 V电源下工作，提供高输出功率和良好的热稳定性，确保在高功率条件下的可靠性。
　　其次，RF1658TR7的典型输出功率可达125 W，在脉冲模式下表现优异，适用于雷达和测试设备等需要高峰值功率的应用。其高增益特性（23 dB）减少了前级放大器的复杂度，提高了整体系统的效率。此外，该晶体管具有良好的线性度，适用于需要高信号保真的应用，如数字通信系统。
　　RF1658TR7的封装设计优化了热管理和射频性能，采用7引脚金属封装，确保良好的散热和机械稳定性。其输入驻波比（VSWR）最大为2.5:1，表明在各种负载条件下具有良好的匹配能力。此外，该器件的工作温度范围广泛，从-65°C到+150°C，适用于各种恶劣环境。

应用

RF1658TR7广泛应用于多种射频功率放大器系统。首先，在无线通信基础设施中，如4G LTE基站和WiMAX系统，该器件用于高功率发射端，提供稳定的输出和良好的线性度。其次，在广播系统中，例如数字音频广播（DAB）和地面数字电视（DTT），RF1658TR7可用于高效率的射频放大器，确保信号传输的稳定性和清晰度。
　　此外，该器件适用于测试和测量设备，如频谱分析仪和信号发生器，用于生成高功率射频信号。在雷达和军事通信系统中，RF1658TR7的高功率输出和可靠性使其成为理想的放大器解决方案。工业应用中，该晶体管也可用于射频加热和等离子体生成设备，提供稳定且高效的射频能量。