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123NQ100PBF 发布时间 时间:2025/12/26 19:46:38 查看 阅读:17

123NQ100PBF是一款由Vishay Semiconductors生产的N沟道TrenchFET功率MOSFET,采用先进的沟槽技术制造,专为高效率、高密度的电源管理应用而设计。该器件封装在PowerPAK SO-8L双片式封装中,具有极低的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg),从而显著降低了导通损耗和开关损耗,适用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等多种应用场景。123NQ100PBF符合RoHS标准,并且无卤素,满足现代电子产品对环保和可靠性的严格要求。其增强型MOSFET结构确保了在逻辑电平驱动条件下仍能实现优异的性能表现,适合与控制器IC直接接口,无需额外的驱动电路。此外,该器件具备良好的热稳定性,在高温环境下依然能够保持稳定的电气特性,提高了系统整体的可靠性。
  这款MOSFET特别适用于空间受限但需要高效能输出的设计,例如便携式设备、服务器电源模块、笔记本电脑电源管理系统以及电信基础设施中的点负载调节。由于采用了先进的封装技术,PowerPAK SO-8L提供了比传统SO-8封装更优的散热性能,有助于提升功率密度并减少PCB面积占用。123NQ100PBF经过严格的生产测试流程,保证了一致的产品质量和长期运行的稳定性,是工业、消费类及通信领域中高性能开关应用的理想选择之一。

参数

型号:123NQ100PBF
  类型:N沟道MOSFET
  封装:PowerPAK SO-8L
  通道数:单通道
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):19A @ 25°C
  脉冲漏极电流(IDM):76A
  导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ @ VGS=10V, 6.5mΩ @ VGS=4.5V
  阈值电压(Vth):1.0V ~ 2.5V
  栅极电荷(Qg):13nC @ VGS=10V
  输入电容(Ciss):900pF @ VDS=15V
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  热阻结到外壳(RθJC):1.6°C/W
  热阻结到环境(RθJA):45°C/W

特性

123NQ100PBF采用Vishay专有的TrenchFET技术,这种先进的制造工艺通过优化沟道设计和降低单位面积上的导通电阻,实现了超低RDS(on)值,即使在大电流条件下也能有效减少功率损耗,提高系统能效。其典型RDS(on)仅为4.5mΩ(当VGS=10V时),在同类产品中处于领先水平,尤其适合用于电池供电设备或对能效要求极高的电源架构。此外,该器件具有非常低的栅极电荷(Qg=13nC),这意味着在开关过程中所需的驱动能量更少,从而降低了开关损耗,提升了高频工作的效率。
  TrenchFET结构还带来了更快的开关速度和更高的开关频率兼容性,使得123NQ100PBF非常适合用于现代高频率DC-DC转换器拓扑结构,如同步降压、升压或SEPIC变换器。其快速响应能力有助于减小外部滤波元件的尺寸,进一步缩小整体电源解决方案的体积。同时,该MOSFET具备良好的体二极管反向恢复特性,减少了换流过程中的尖峰电压和电磁干扰(EMI),增强了系统的电磁兼容性。
  PowerPAK SO-8L封装是一种双片焊盘设计,底部有独立的散热焊盘,可直接连接至PCB上的大面积铜箔进行高效散热,显著改善热性能。相比标准SO-8封装,它在相同封装尺寸下提供了更低的热阻(RθJC=1.6°C/W),支持更高持续电流操作而不至于过热损坏。该封装还减少了寄生电感,有利于提升高频下的开关稳定性和抗噪声能力。
  123NQ100PBF的工作温度范围宽达-55°C至+150°C,可在极端环境条件下稳定运行,适用于工业自动化、汽车电子预驱级应用以及严苛的户外通信设备。器件符合AEC-Q101可靠性标准的部分测试条件,具备较强的抗湿气、振动和热循环能力。此外,其无铅、无卤素的环保设计符合全球绿色制造趋势,便于客户通过相关认证并进入国际市场。

应用

123NQ100PBF广泛应用于各类高效开关电源系统中,特别是在需要低导通损耗和高开关频率的场合。常见应用包括同步整流型DC-DC降压转换器,用于服务器主板、图形处理器(GPU)和现场可编程门阵列(FPGA)的多相电压调节模块(VRM),其中多个MOSFET并联使用以提供大电流输出。此外,它也常用于负载开关电路,控制电源路径的通断,防止反向电流或实现软启动功能,保护后级电路免受浪涌冲击。
  在电池管理系统(BMS)和便携式消费电子产品(如智能手机、平板电脑和超极本)中,123NQ100PBF可用于电源路径管理、充电开关或放电控制,凭借其低静态功耗和高效率特性延长设备续航时间。在电机驱动应用中,该器件可用作H桥电路中的低端或高端开关,驱动小型直流电机或步进电机,适用于打印机、扫描仪和自动售货机等设备。
  通信基础设施中的点负载调节器(Point-of-Load Regulators)也大量采用此类高性能MOSFET,用于将中间母线电压(如12V)高效转换为处理器所需的低压大电流电源(如1V~3.3V)。此外,123NQ100PBF还可用于LED驱动电路、热插拔控制器、冗余电源切换以及UPS不间断电源系统中的功率开关环节,展现出出色的通用性和可靠性。

替代型号

SI7850DP-T1-E3
  IRLHS6242TRPBF
  FDN360P
  AO4407

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123NQ100PBF参数

  • 制造商:Vishay
  • 产品种类:肖特基(二极管与整流器)
  • RoHS:详细信息
  • 产品:Schottky Rectifiers
  • 峰值反向电压:100 V
  • 正向连续电流:120 A
  • 最大浪涌电流:12800 A
  • 配置:Single
  • 正向电压下降:1.26 V at 240 A
  • 最大反向漏泄电流:3000 uA
  • 工作温度范围:- 55 C to + 175 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:D-67
  • 封装:Tube
  • Standard Pack Qty:20