HM514400BLTT7 时间：2025/9/7 8:43:29 阅读：5

HM514400BLTT7是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的4Mbit（512K x 8）高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件采用CMOS工艺制造，具有低功耗、高速访问和高可靠性的特点，广泛应用于工业控制、通信设备、嵌入式系统和消费类电子产品中。该封装为TSOP（Thin Small Outline Package），适用于紧凑型设计。

参数

容量：4Mbit（512K x 8）
　　电压：3.3V（部分型号支持5V）
　　访问时间：55ns/70ns/10ns等不同版本
　　封装：TSOP
　　工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：并行异步接口
　　封装引脚数：54-pin
　　功耗：典型工作电流约100mA

特性

HM514400BLTT7具有多种优异性能，适合多类应用场景。其采用CMOS技术，具有静态保持特性，即在待机状态下仅需极低的电流维持数据存储，这使其在低功耗应用中表现出色。
　　其高速访问时间（最快可达55ns）保证了其在高性能嵌入式系统中的稳定运行，同时支持异步控制，可适应多种主控芯片的读写时序需求。
　　此外，该芯片采用TSOP封装，具备良好的热稳定性和电气性能，适合高密度PCB布局。其工作温度范围覆盖工业级标准，适用于较为严苛的工作环境，如通信模块、工业自动化控制器等。
　　由于其标准化接口和广泛兼容性，该芯片在许多替代型号中也能找到匹配的替换件，便于系统升级或备料管理。