时间：2025/6/21 4:30:19
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HH21N680G101CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT）。它采用了先进的 GaN 工艺，具有极低的导通电阻和快速开关性能，适合用于高频、高效功率转换应用。
该器件具备出色的热性能和耐用性，同时能够承受较高的工作电压。其封装设计优化了电气和热性能，广泛适用于电源适配器、无线充电器以及各种工业和消费类电子产品中的开关电源系统。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：9A
导通电阻：100mΩ
栅极电荷：60nC
反向恢复时间：30ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
HH21N680G101CT 的主要特性包括以下几点：
1. 高效功率转换能力，得益于极低的导通电阻和开关损耗。
2. 超快开关速度，可显著降低能量损失并提高工作效率。
3. 集成保护功能，例如过温保护和短路保护，从而提高了系统的可靠性和安全性。
4. 兼容标准硅 MOSFET 驱动器，简化了设计流程。
5. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，特别适合紧凑型设备。
6. 耐高压性能，使其能够在高输入电压条件下稳定运行。
7. 出色的热管理特性，确保在高负载下的长期稳定性。
该器件还具有卓越的电磁兼容性（EMC），可减少对其他电路元件的干扰。
HH21N680G101CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如笔记本电脑适配器、手机快速充电器等。
2. 工业电源和电机驱动系统。
3. 太阳能逆变器及储能系统。
4. 数据中心服务器电源模块。
5. 无线充电设备。
6. 消费类电子产品，如电视、音响等内部的 DC-DC 转换电路。
7. LED 照明驱动电源。
由于其高性能和可靠性，这款 GaN 器件成为许多现代电力电子应用的理想选择。
HH21N650G101CT, HH21N680G121CT
