时间：2025/6/17 5:42:01
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GJM0336C1E200GB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率电力转换场景。该芯片采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻和快速开关特性，从而显著提高了系统的整体效率和可靠性。
该型号专为大电流应用设计，具有优异的热性能和电气性能，在各种恶劣环境下均能保持稳定运行。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：200A
导通电阻(Rds(on))：1.4mΩ
总功耗(Ptot)：200W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：D2PAK
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，仅为 1.4mΩ，可有效降低传导损耗。
2. 快速开关能力，优化了开关损耗，提升了高频应用中的效率。
3. 高额定漏极电流 Id (200A)，适用于大功率场景。
4. 宽广的工作温度范围 (-55℃ to +175℃)，确保在极端环境下的可靠运行。
5. 先进的封装技术，增强了散热性能和机械强度。
6. 内置 ESD 保护功能，提升了芯片的抗静电能力。
1. 开关电源（SMPS）
2. 工业电机驱动
3. 太阳能逆变器
4. 电动汽车牵引逆变器
5. 大功率 DC-DC 转换器
6. 不间断电源（UPS）系统
