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STD46P4LLF6 发布时间 时间:2025/5/30 16:13:03 查看 阅读:8

STD46P4LLF6 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高压功率MOSFET。该器件属于MDmesh? MOSFET系列,采用DPAK封装形式。其设计主要针对开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等应用领域。STD46P4LLF6 提供了低导通电阻和高效率的性能表现,同时具备良好的热稳定性和抗浪涌能力,适用于各种工业和消费类电子设备。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压Vds:650V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:4.6A
  导通电阻Rds(on):3.8Ω(在Vgs=10V时)
  总栅极电荷Qg:30nC
  输入电容Ciss:1700pF
  输出电容Coss:90pF
  反向传输电容Crss:45pF
  结温范围Tj:-55℃至+175℃

特性

STD46P4LLF6 采用了先进的MDmesh?技术,这种技术显著降低了导通电阻并提高了功率密度。
  该器件具有较高的击穿电压,非常适合需要高可靠性的电路设计。
  MOSFET 的快速开关特性使其能够适应高频开关应用,并减少开关损耗。
  DPAK 封装提供了出色的散热性能,确保在高电流和高功率条件下也能保持稳定的运行状态。
  由于其较低的导通电阻和优化的栅极电荷,这款器件能够提供高效的功率转换,从而降低整体系统功耗。
  此外,STD46P4LLF6 还具备良好的雪崩能力和抗雷击浪涌保护功能,增强了系统的鲁棒性。

应用

开关电源中的主开关管或同步整流管
  DC-DC 转换器的功率级开关
  电机驱动电路中的功率开关
  电池充电器及负载切换电路
  LED 驱动器中的电流调节开关
  家用电器及工业控制设备中的功率管理单元

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STD46P4LLF6参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥13.12000剪切带(CT)2,500 : ¥5.54986卷带(TR)
  • 系列STripFET? F6
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)46A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)15 毫欧 @ 23A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)34 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3525 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)70W(Tc)
  • 工作温度175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DPAK
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63