STD46P4LLF6 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高压功率MOSFET。该器件属于MDmesh? MOSFET系列,采用DPAK封装形式。其设计主要针对开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等应用领域。STD46P4LLF6 提供了低导通电阻和高效率的性能表现,同时具备良好的热稳定性和抗浪涌能力,适用于各种工业和消费类电子设备。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds:650V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:4.6A
导通电阻Rds(on):3.8Ω(在Vgs=10V时)
总栅极电荷Qg:30nC
输入电容Ciss:1700pF
输出电容Coss:90pF
反向传输电容Crss:45pF
结温范围Tj:-55℃至+175℃
STD46P4LLF6 采用了先进的MDmesh?技术,这种技术显著降低了导通电阻并提高了功率密度。
该器件具有较高的击穿电压,非常适合需要高可靠性的电路设计。
MOSFET 的快速开关特性使其能够适应高频开关应用,并减少开关损耗。
DPAK 封装提供了出色的散热性能,确保在高电流和高功率条件下也能保持稳定的运行状态。
由于其较低的导通电阻和优化的栅极电荷,这款器件能够提供高效的功率转换,从而降低整体系统功耗。
此外,STD46P4LLF6 还具备良好的雪崩能力和抗雷击浪涌保护功能,增强了系统的鲁棒性。
开关电源中的主开关管或同步整流管
DC-DC 转换器的功率级开关
电机驱动电路中的功率开关
电池充电器及负载切换电路
LED 驱动器中的电流调节开关
家用电器及工业控制设备中的功率管理单元