型号：IXTK21N100
　　制造商：IXYS
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1000 V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：21 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：84 A
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　功耗（PD）：300 W
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.38 Ω @ VGS = 10 V, ID = 10.5 A
　　阈值电压（VGS(th)）：最小4.0 V，最大7.0 V @ VDS = 10 V, ID = 250 μA
　　输入电容（Ciss）：典型值2400 pF @ VDS = 25 V, f = 1 MHz
　　输出电容（Coss）：典型值450 pF @ VDS = 25 V, f = 1 MHz
　　反向恢复时间（trr）：典型值55 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

IXTK21N100具备卓越的高压阻断能力，其1000V的漏源击穿电压使其能够在极高电压环境下可靠工作，适用于如高压电源、X射线发生器和激光驱动器等对耐压要求严苛的场合。该器件采用了优化的元胞设计和终端结构，显著提升了边缘区域的电场均匀性，从而增强了器件的长期稳定性和抗瞬态过压能力。同时，其较低的导通电阻（RDS(on)）确保了在大电流条件下仍能保持较小的导通损耗，有助于提高系统能效并降低温升。该MOSFET还具有较高的dv/dt耐受能力，减少了因快速电压变化引起的误触发风险，提升了系统在高频开关环境中的稳定性。
　　另一个关键特性是其优异的开关性能。IXTK21N100拥有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这使得它在高频开关应用中能够实现更快的开关速度和更低的驱动功率需求。配合其相对较小的输入和输出电容，可有效减少开关过程中的能量损耗，特别适合用于硬开关和准谐振拓扑结构。此外，该器件具备较强的抗雪崩能力，能够在非钳位电感开关（UIS）条件下承受一定的能量冲击，进一步增强了系统的鲁棒性。TO-247封装不仅提供了良好的机械强度，还具备优良的热传导路径，便于安装散热器以应对高功率密度场景下的散热挑战。
　　在可靠性方面，IXTK21N100经过严格的质量控制流程制造，符合工业级标准，能够在-55°C至+150°C的宽结温范围内稳定运行。其栅氧化层经过特殊工艺处理，具备较高的抗静电放电（ESD）能力和长期可靠性，避免因栅极击穿导致的早期失效。此外，该器件支持并联使用，多个MOSFET可以并联以分担更大电流负载，适用于高功率密度设计。总体而言，IXTK21N100凭借其高压、大电流、低损耗和高可靠性的综合优势，成为众多高压电力电子系统中的理想选择。

IXTK21N100广泛应用于多种高电压、高功率的电力电子系统中。典型应用场景包括高压DC-DC转换器，其中该器件作为主开关元件用于升压或降压拓扑结构，利用其高耐压特性实现稳定的电压变换。在不间断电源（UPS）和逆变器系统中，IXTK21N100可用于H桥或半桥拓扑中的开关单元，承担能量转换与波形生成任务，尤其适用于工业级或三相逆变系统。此外，在电机驱动领域，特别是大功率交流或直流电机控制器中，该MOSFET可用于斩波调速或脉宽调制（PWM）控制，提供高效的电能调节能力。
　　该器件也常见于感应加热设备，如电磁炉、金属熔炼装置和封口机等，其高频开关能力和高耐压特性使其能够在谐振电路中高效工作，实现精确的能量控制。在医疗和科研设备中，例如X射线发生器、激光电源和粒子加速器电源系统中，IXTK21N100因其能够承受瞬态高压和脉冲电流而被广泛采用。此外，在太阳能光伏逆变器和风力发电系统的功率调节模块中，该器件可用于直流侧的开关控制，提升能源转换效率。
　　其他应用还包括高能脉冲电源、电弧焊机、高压电容充电电源以及特种电源模块等。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，IXTK21N100也适用于恶劣工业环境下的长期运行。总之，凡是需要高电压阻断能力、大电流承载能力和高开关效率的场合，IXTK21N100都是一个非常可靠的核心功率器件选择。

IXTH24N100P
　　IXFH22N100
　　IRFPH80