时间：2025/5/19 13:50:34
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IRF7463 是一款N沟道增强型MOSFET，由Vishay公司生产。它采用逻辑电平驱动设计，能够以较低的栅极驱动电压实现导通，适用于需要高效能和低功耗的应用场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，非常适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理等应用。
IRF7463的工作电压范围较宽，能够在高达30V的漏源极电压下工作，并且具备出色的热稳定性和耐用性。此外，其封装形式为SO-8（DDPAK），有助于简化PCB布局并提高散热性能。
最大漏源极电压：30V
最大栅源极电压：±12V
连续漏极电流：15A
导通电阻（Rds(on)）：9.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
输入电容：1250pF
总栅极电荷：28nC
开关速度：典型关断时间t(off)=36ns，典型开通时间t(on)=15ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 逻辑电平驱动，支持低至4.5V的栅极驱动电压。
2. 极低的导通电阻，减少导通损耗，提升效率。
3. 高速开关性能，适合高频应用场合。
4. 小型SO-8封装，节省PCB空间。
5. 良好的热稳定性，确保在高温环境下可靠运行。
6. 较高的电流承载能力，满足大功率需求。
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 电池保护和管理系统中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级开关。
5. 各类消费电子设备中的电源管理模块。
6. 可携式设备中的高效能功率控制。
IRLZ44N, AO3400, FDN338P
