RF1654ATR13-5K 时间：2025/8/16 6:38:38 阅读：24

RF1654ATR13-5K 是一款由 Renesas Electronics 生产的射频（RF）晶体管，属于高频、高功率双极晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT）系列，适用于多种射频功率放大应用。该器件采用先进的硅双极工艺制造，具有良好的高频性能和热稳定性，适用于工业、科学和通信领域的射频功率放大器设计。

参数

晶体管类型：硅 NPN 双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：15V
　　最大集电极电流（IC）：1.5A
　　最大功率耗散（PD）：20W
　　频率范围：DC 至 1 GHz
　　增益（hFE）：典型值 80 @ IC = 1A, VCE = 5V
　　输出功率：典型值 13W @ 900MHz
　　封装类型：TO-220AB
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

RF1654ATR13-5K 具有优异的高频性能和稳定性，适用于高频率、中高功率的射频放大器应用。该器件采用了先进的硅双极技术，确保在高频段（最高可达1GHz）下仍具有良好的增益和线性度。
　　其高输出功率能力（典型值13W @ 900MHz）使其非常适合用于无线通信基础设施、工业加热设备和射频测试仪器等场合。此外，该晶体管具备良好的热管理和耐高温能力，确保在长时间高功率运行下仍能保持稳定性能。
　　该晶体管的封装形式为 TO-220AB，便于安装和散热管理，适合在多种 PCB 设计中使用。同时，其宽工作温度范围（-55°C 至 +150°C）也保证了在极端环境下的可靠运行。
　　RF1654ATR13-5K 还具有良好的线性度和失真控制能力，适用于需要高信号保真的射频功率放大器设计，如蜂窝基站、射频激励器和广播发射系统等应用领域。

应用

RF1654ATR13-5K 主要用于以下应用场景：
　　1. 无线通信基站和蜂窝网络射频功率放大器；
　　2. 射频测试设备和测量仪器；
　　3. 工业加热和射频能量应用；
　　4. 广播和发射系统中的中高功率放大器；
　　5. 各类射频激励器和功率模块设计；
　　6. 需要高线性度和稳定性的射频放大系统。