LRB521BS-30T5G 时间：2025/5/15 16:33:48 阅读：47

LRB521BS-30T5G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管，专为高频、高效能应用设计。该器件采用 TO-247 封装形式，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源转换、电机驱动以及通信基础设施等领域。其先进的材料特性和结构设计使其在高频率工作条件下表现出优异的性能。
　　这款 GaN 功率晶体管相较于传统硅基 MOSFET 提供了更高的效率和更低的热损耗，同时简化了系统设计并减小了整体尺寸。

参数

型号：LRB521BS-30T5G
　　封装：TO-247
　　额定电压：600V
　　额定电流：30A
　　导通电阻：1.8mΩ
　　最大工作结温：175°C
　　栅极电荷：9nC
　　反向恢复时间：<10ns
　　开关频率范围：高达 5MHz
　　功耗：低静态功耗
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

LRB521BS-30T5G 的主要特性包括：
　　1. 高效能量转换能力，尤其在高频应用中表现出色。
　　2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗。
　　3. 超快的开关速度，降低开关损耗。
　　4. 支持宽禁带技术，具备更优的热稳定性和可靠性。
　　5. 内置保护功能，例如过流保护和短路保护。
　　6. 兼容标准的栅极驱动电路，易于集成到现有系统中。
　　7. 可靠性经过严格测试，满足工业级和汽车级应用需求。

应用

LRB521BS-30T5G 广泛应用于以下领域：
　　1. 高频 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。
　　2. 无线充电设备中的功率传输模块。
　　3. 数据中心和服务器电源供应单元。
　　4. 太阳能逆变器及储能系统。
　　5. 电动汽车（EV）车载充电器和电机控制器。
　　6. 工业自动化设备中的伺服驱动器。
　　7. 高速通信基站中的射频功率放大器辅助电路。
　　8. 消费电子产品的快速充电适配器。