2SK3135L 时间：2025/9/7 13:31:45 阅读：16

2SK3135L 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率的功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET结构，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和快速的开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电池充电系统和负载开关等场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：150A（在Tc=25℃）
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为5.5mΩ（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

2SK3135L具有低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体效率。其快速开关特性使得在高频应用中表现优异，减少了开关损耗。此外，该器件具备较高的热稳定性和过载能力，确保在恶劣工作环境下的可靠性。该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子系统。
　　该器件的封装设计（TO-263）提供了良好的热管理和焊接可靠性，适用于表面贴装技术（SMT）生产流程。此外，2SK3135L符合RoHS环保标准，适合当前对无铅和环保要求日益严格的市场环境。

应用

2SK3135L广泛应用于各种电力电子系统，如服务器电源、电信设备电源、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关以及电机驱动器等。此外，它也适用于需要高效率和高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器和DC-AC逆变器。
　　由于其高电流能力和低导通电阻，该MOSFET在需要高功率密度的设计中特别受欢迎。同时，其良好的热性能使其能够在高环境温度下稳定运行，满足工业和汽车应用中对稳定性和可靠性的严苛要求。