时间：2025/7/9 1:53:48
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RF15N4R3A500CT 是一款高性能的射频 (RF) 场效应晶体管 (FET)，主要用于高频信号放大和开关应用。该器件采用先进的氮化镓 (GaN) 技术制造，具有高功率密度、高效能以及宽频带的特点，适合在通信系统、雷达和工业应用中使用。
其设计优化了射频性能，在高频段表现出色，并具备良好的线性度和增益特性，能够满足现代无线通信对高性能元器件的需求。
型号：RF15N4R3A500CT
类型：射频场效应晶体管 (RF FET)
工艺技术：GaN（氮化镓）
封装形式：陶瓷气密封装
工作频率范围：DC 至 15 GHz
最大输出功率：50 W
饱和输出功率：45 W
峰值效率：65 %
增益：15 dB
电源电压：28 V
漏极电流（典型值）：5 A
输入匹配网络：集成
输出匹配网络：可选
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
存储温度范围：-55°C 至 +125°C
RF15N4R3A500CT 具有以下主要特性：
1. 使用氮化镓 (GaN) 材料制造，提供更高的功率密度和更高效的能量转换。
2. 宽频带设计，支持从 DC 到 15 GHz 的频率范围，适用于多种射频应用场景。
3. 高峰值效率达到 65%，有助于降低功耗并提高系统的整体效能。
4. 内置输入匹配网络，简化了电路设计过程。
5. 提供灵活的输出匹配选项，便于用户根据具体需求进行优化。
6. 采用陶瓷气密封装，确保器件在恶劣环境下的可靠性和稳定性。
7. 能够承受较高的漏极电流，保证了在高负载条件下的稳定运行。
8. 工作温度范围广，适应各种复杂的应用场景。
RF15N4R3A500CT 广泛应用于以下领域：
1. 无线通信基站中的功率放大器模块。
2. 点对点微波无线电系统中的射频信号放大。
3. 雷达系统中的发射机部分，用于提升信号强度和探测距离。
4. 卫星通信设备中的上行链路功率放大。
5. 医疗成像设备中的高频信号处理。
6. 工业加热和等离子体生成等需要大功率射频源的应用。
7. 测试与测量仪器中的射频信号生成和放大功能。
RF15N4R3A300CT, RF15N4R3B500CT
