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FJA13009L 发布时间 时间:2025/8/25 1:49:16 查看 阅读:13

FJA13009L是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率、高频率开关应用设计。该器件采用先进的平面工艺制造,具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性能。FJA13009L广泛应用于电源转换器、DC-DC变换器、开关电源(SMPS)、电机控制以及各种功率电子设备中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):800V
  栅源电压(Vgs):±30V
  漏极电流(Id):12A(最大值)
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.55Ω(最大值为0.65Ω)
  功耗(Pd):150W
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装类型:TO-220F

特性

FJA13009L具备一系列优良的电气和物理特性,使其在各种功率应用中表现出色。首先,其高达800V的漏源电压使其能够承受较高的电压应力,适用于高压电源转换系统。其次,器件的低导通电阻Rds(on)可以有效降低导通损耗,提高系统整体效率。该值在25℃下典型为0.55Ω,确保了良好的导电性能。
  此外,FJA13009L具有较高的栅极阈值电压(Vgs(th)),通常在2V至4V之间,这使其在驱动过程中不易受到噪声干扰,提高了开关的稳定性。器件的快速开关特性使其适用于高频开关电路,从而减小了电感器和变压器的尺寸,提升了系统功率密度。
  在封装方面,FJA13009L采用TO-220F封装,具备良好的散热性能和机械稳定性。这种封装形式适用于通孔焊接(Through-hole),便于在各类电路板上安装,并且具有较高的耐热能力,可有效延长器件寿命。
  同时,FJA13009L还具备优异的抗雪崩能力和过热保护特性,确保在极端工作条件下仍能稳定运行。这使得它在工业控制、家用电器、照明系统以及新能源设备中都具有广泛的应用潜力。

应用

FJA13009L常用于各种高电压、中功率的电子系统中,包括开关电源(SMPS)、AC-DC转换器、DC-DC变换器、逆变器、电机驱动电路、LED照明驱动电路以及各类工业自动化设备。其高耐压和低导通电阻的特性也使其适用于节能型家电产品,如电磁炉、变频空调等。此外,在新能源领域,FJA13009L也广泛应用于太阳能逆变器和电动车充电设备中。

替代型号

FJA13009L的替代型号包括:FQA13009L、K1317、K2837、TK13A80D、TK12A80D、IRF840、IRF740、STP12NM80、FDPF12N80

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