RF15N220G201CT 是一款高性能的射频 (RF) 功率晶体管,专为高频和高功率应用设计。它采用先进的半导体工艺制造,具有出色的增益、线性和效率性能。该器件适用于基站放大器、无线通信设备和其他需要高效射频功率输出的应用场景。
RF15N220G201CT 的设计使其能够在较高的频率范围内提供稳定的性能表现,并支持多种调制模式,以满足现代通信系统对复杂信号处理的需求。
类型:射频功率晶体管
工作频率范围:30 MHz 至 250 MHz
最大输出功率:150 W
电压等级:28 V
增益:15 dB
插入损耗:小于 1 dB
封装形式:TO-247-3
结温范围:-55°C 至 +175°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
RF15N220G201CT 具有以下主要特性:
1. 高输出功率能力,适用于高要求的射频应用场景。
2. 在宽频率范围内保持良好的稳定性和可靠性。
3. 提供高增益和低失真,确保信号质量。
4. 支持宽带操作,简化系统设计并提高灵活性。
5. 使用高效的热管理技术,延长使用寿命。
6. 封装坚固耐用,适合恶劣环境下的使用需求。
7. 与多种标准驱动电路兼容,易于集成到现有系统中。
RF15N220G20:
1. 无线通信基础设施,如蜂窝基站和中继站。
2. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域中的射频能量传输。
3. 测试与测量设备,包括信号发生器和频谱分析仪。
4. 军事和航空航天通信系统。
5. 高功率射频放大器模块。
6. 广播和卫星通信系统。
其强大的性能和可靠性使其成为许多高性能射频应用的理想选择。
RF15N220G202CT, RF15N220G203CT