PQ1CG303 时间：2025/8/28 9:06:41 阅读：24

PQ1CG303是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频开关应用，广泛用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机驱动器以及各类工业和消费类电子设备中。PQ1CG303采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供较低的导通电阻和优异的开关性能，适合在中高功率应用场景中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：30mΩ（最大值，@Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　安装类型：表面贴装

特性

PQ1CG303具有多个关键特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，它采用了先进的沟槽式工艺，使得在高频开关条件下依然保持良好的性能。此外，PQ1CG303具备较高的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。
　　该MOSFET的封装形式为TO-252（DPAK），具有良好的散热能力，适合高功率密度的设计。栅极驱动电压范围较宽，支持4V至20V之间的驱动电压，适用于多种驱动电路设计。PQ1CG303还具备良好的抗雪崩能力，能够在负载突变或短路情况下提供更高的安全裕度。
　　其内部结构优化了开关损耗，使得在高频率开关操作中减少能量损耗，提升整体系统性能。此外，该器件的制造工艺符合RoHS环保标准，适用于环保要求较高的电子产品。

应用

PQ1CG303适用于多种功率电子应用，包括但不限于以下领域：
　　在电源管理系统中，常用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电池充电管理模块等，提供高效的电能转换。在电机控制电路中，作为功率开关用于驱动直流电机、步进电机等负载。在LED照明系统中，可用于恒流驱动电路，提高照明效率和稳定性。
　　此外，该MOSFET也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、车灯控制系统、电动助力转向系统等。在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑、智能家电等设备的电源管理模块中也有广泛应用。
　　由于其高可靠性和良好的热管理能力，PQ1CG303也适用于工业自动化设备、通信设备、服务器电源等对稳定性要求较高的应用场景。