PQ1CG303是一款由Rohm(罗姆)半导体公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频开关应用,广泛用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机驱动器以及各类工业和消费类电子设备中。PQ1CG303采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供较低的导通电阻和优异的开关性能,适合在中高功率应用场景中使用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):20V
连续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):30mΩ(最大值,@Vgs=10V)
功率耗散(Pd):100W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
安装类型:表面贴装
PQ1CG303具有多个关键特性,使其在多种功率应用中表现出色。首先,该器件的低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,它采用了先进的沟槽式工艺,使得在高频开关条件下依然保持良好的性能。此外,PQ1CG303具备较高的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下稳定运行。
该MOSFET的封装形式为TO-252(DPAK),具有良好的散热能力,适合高功率密度的设计。栅极驱动电压范围较宽,支持4V至20V之间的驱动电压,适用于多种驱动电路设计。PQ1CG303还具备良好的抗雪崩能力,能够在负载突变或短路情况下提供更高的安全裕度。
其内部结构优化了开关损耗,使得在高频率开关操作中减少能量损耗,提升整体系统性能。此外,该器件的制造工艺符合RoHS环保标准,适用于环保要求较高的电子产品。
PQ1CG303适用于多种功率电子应用,包括但不限于以下领域:
在电源管理系统中,常用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电池充电管理模块等,提供高效的电能转换。在电机控制电路中,作为功率开关用于驱动直流电机、步进电机等负载。在LED照明系统中,可用于恒流驱动电路,提高照明效率和稳定性。
此外,该MOSFET也广泛应用于汽车电子系统,如车载充电器、车灯控制系统、电动助力转向系统等。在消费类电子产品中,如笔记本电脑、平板电脑、智能家电等设备的电源管理模块中也有广泛应用。
由于其高可靠性和良好的热管理能力,PQ1CG303也适用于工业自动化设备、通信设备、服务器电源等对稳定性要求较高的应用场景。
SiSS108N, FDS6680, IRF7413, AO4406, SQJ428E