时间：2025/7/12 16:21:49
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RF15N1R5C500CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的射频功率晶体管，专为高效率、高频应用设计。该器件适用于射频功率放大器和信号处理系统，广泛用于通信基站、雷达设备以及航空航天领域。
该器件采用先进的封装技术，能够提供卓越的射频性能和热管理能力，同时其低寄生参数设计有助于提高系统的整体效率。
型号：RF15N1R5C500CT
类型：射频功率晶体管
材料：氮化镓（GaN）
工作频率范围：DC 至 6 GHz
增益：15 dB
最大输出功率：50 W
饱和漏极电流：4 A
击穿电压：150 V
导通电阻：0.1 Ω
封装形式：陶瓷气密封装
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
RF15N1R5C500CT 具有高功率密度和高效能的特点，适合高频环境下的应用需求。
1. 高效率：
通过优化 GaN 材料的特性，该晶体管能够在高频下维持较高的能量转换效率，从而降低系统能耗。
2. 宽带操作：
支持从直流到 6 GHz 的宽频段工作，满足多种射频应用场景的需求。
3. 热性能优越：
采用陶瓷气密封装技术，确保了良好的散热性能和长期可靠性。
4. 低寄生参数：
内部结构设计减少了寄生电容和电感的影响，提高了高频性能和稳定性。
5. 可靠性高：
经过严格测试，具备出色的抗辐射能力和高温稳定性，特别适合严苛的工作环境。
RF15N1R5C500CT 广泛应用于各种需要高性能射频放大的场合。
1. 通信基站：
在 4G 和 5G 基站中用作功率放大器的核心元件，提升信号覆盖范围和传输效率。
2. 军事与航天：
如雷达系统和卫星通信设备中的关键组件，提供稳定可靠的高频功率输出。
3. 医疗设备：
在超声波和其他医疗成像设备中发挥重要作用，增强图像质量和诊断精度。
4. 工业控制：
例如等离子体生成器和工业加热装置中使用，保证高效的能量转换和精确的控制功能。
RF15N1R5C400CT, RF15N1R5C600CT
