RF15N150G500CT 是一款高性能的氮化镓(GaN)功率晶体管,专为高频、高效应用而设计。该器件采用先进的 GaN 技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合于开关电源、DC-DC 转换器、无线充电和其他需要高效能量转换的应用。
该晶体管采用了常关型增强模式(E-Mode)结构,确保了其在实际应用中的安全性和稳定性。此外,RF15N150G500CT 的封装形式使其易于集成到各种电路中,并具备良好的散热性能。
额定电压:150V
额定电流:50A
导通电阻:5mΩ
栅极电荷:12nC
最大工作结温:175°C
封装类型:TO-247
RF15N150G500CT 具有以下主要特性:
1. 高效的开关性能,能够显著降低开关损耗,提升整体系统效率。
2. 极低的导通电阻(Rds(on)),减少传导损耗。
3. 快速的开关速度,支持高频操作,从而减小无源元件的尺寸和重量。
4. 增强模式(E-Mode)设计,无需额外的偏置电路即可正常工作。
5. 高热稳定性和可靠性,适用于苛刻的工作环境。
6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代工业需求。
RF15N150G500CT 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),提供高效、紧凑的设计方案。
2. DC-DC 转换器,特别是在电动汽车和新能源领域的高功率密度转换器。
3. 无线充电系统,用于提高充电效率并减小系统尺寸。
4. 工业电机驱动,实现更精确的控制和更高的能效。
5. 可再生能源设备,如太阳能逆变器和储能系统。
6. 数据中心电源模块,满足对效率和可靠性的严格要求。
RF15N150G400CT, RF15N150G300CT