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RF15N150G500CT 发布时间 时间:2025/7/7 18:26:44 查看 阅读:20

RF15N150G500CT 是一款高性能的氮化镓(GaN)功率晶体管,专为高频、高效应用而设计。该器件采用先进的 GaN 技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合于开关电源、DC-DC 转换器、无线充电和其他需要高效能量转换的应用。
  该晶体管采用了常关型增强模式(E-Mode)结构,确保了其在实际应用中的安全性和稳定性。此外,RF15N150G500CT 的封装形式使其易于集成到各种电路中,并具备良好的散热性能。

参数

额定电压:150V
  额定电流:50A
  导通电阻:5mΩ
  栅极电荷:12nC
  最大工作结温:175°C
  封装类型:TO-247

特性

RF15N150G500CT 具有以下主要特性:
  1. 高效的开关性能,能够显著降低开关损耗,提升整体系统效率。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),减少传导损耗。
  3. 快速的开关速度,支持高频操作,从而减小无源元件的尺寸和重量。
  4. 增强模式(E-Mode)设计,无需额外的偏置电路即可正常工作。
  5. 高热稳定性和可靠性,适用于苛刻的工作环境。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代工业需求。

应用

RF15N150G500CT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),提供高效、紧凑的设计方案。
  2. DC-DC 转换器,特别是在电动汽车和新能源领域的高功率密度转换器。
  3. 无线充电系统,用于提高充电效率并减小系统尺寸。
  4. 工业电机驱动,实现更精确的控制和更高的能效。
  5. 可再生能源设备,如太阳能逆变器和储能系统。
  6. 数据中心电源模块,满足对效率和可靠性的严格要求。

替代型号

RF15N150G400CT, RF15N150G300CT

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RF15N150G500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.12687卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容15 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-