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DS1220Y-200IND+ 发布时间 时间:2025/5/15 15:14:56 查看 阅读:3

DS1220Y是一款由Maxim Integrated生产的非易失性静态随机存取存储器(NVSRAM),具有电池支持的备份功能,可以在主电源中断时保护数据。该芯片结合了高速CMOS SRAM与智能电源管理电路,确保数据在断电后仍然可以保存。
  DS1220Y系列提供多种容量选择,其中DS1220Y-200IND+是2K x 8位版本,采用SOIC封装。这种芯片广泛应用于需要高可靠性、实时数据存储和断电保护的应用场景。

参数

存储容量:2KB (2K x 8)
  工作电压:3V至5.5V
  待机电流:5μA(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:SOIC-16
  存取时间:70ns(最大值)
  数据保持时间:10年(最小值)

特性

DS1220Y-200IND+的主要特点是其内置的自动电源管理功能,当检测到主电源电压下降时,它会切换到备用电池供电模式以保护存储的数据。
  此外,该芯片还具有低功耗特性,能够在长时间内维持数据完整性。其高集成度设计简化了系统级设计复杂度,并提供了出色的抗干扰性能,非常适合对可靠性和速度有较高要求的应用。
  由于使用标准SRAM接口,DS1220Y兼容大多数微控制器和其他数字设备,从而进一步增强了其灵活性和适用性。
  此芯片还具有极低的读写延迟,可实现快速数据传输,同时具备优秀的电气特性和机械稳定性,适合工业和商业应用环境。

应用

DS1220Y-200IND+适用于多种需要高可靠性数据存储的应用领域,包括但不限于:
  1. 工业控制设备中的数据日志记录和设置保存。
  2. 医疗设备中的关键参数备份。
  3. 仪表仪器中的测量结果存储。
  4. 网络通信设备中的配置文件保护。
  5. POS机和金融终端中的交易记录保存。
  6. 汽车电子系统中的行驶数据记录。
  其快速响应时间和高可靠性使其成为这些应用的理想选择。

替代型号

DS1220Y-200+, DS1220Y-200G, DS1220Y-200I

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DS1220Y-200IND+参数

  • 产品培训模块Lead (SnPb) Finish for COTSObsolescence Mitigation Program
  • 标准包装14
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量16K (2K x 8)
  • 速度200ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳24-DIP 模块(0.600",15.24mm)
  • 供应商设备封装24-EDIP
  • 包装管件