类型：LDMOS 射频功率晶体管
　　工作频率：800 MHz - 1 GHz
　　输出功率：500 W（典型值）
　　增益：20 dB（典型值）
　　效率：约 60%
　　封装类型：大功率金属陶瓷封装
　　漏极电压：最大 65 V
　　栅极电压范围：-5 V 至 0 V
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1（最大）
　　热阻（结至壳）：约 0.25°C/W
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

RF1136 的一大优势在于其采用了 LDMOS 技术，这使得它在高频操作下仍能保持良好的热稳定性和高效率。与传统的双极型晶体管相比，LDMOS 器件具有更高的输入阻抗、更低的互调失真和更优异的温度稳定性，这使其成为现代无线通信系统中理想的功率放大器选择。
　　该器件的封装设计也经过优化，以适应高功率操作下的散热需求。其金属陶瓷封装不仅提供了良好的热传导性能，还具备优异的机械强度和热稳定性，能够在恶劣环境下稳定运行。
　　RF1136 在设计上支持宽频率范围操作，使其适用于多种通信标准，如 GSM、CDMA 和 LTE 等。此外，该器件的高线性度特性使其在多载波和宽带应用中表现出色，能够满足现代通信系统对信号完整性和频谱效率的高要求。
　　为了提高可靠性，RF1136 内部集成了热保护和电流保护机制。在高功率操作过程中，如果温度超过安全阈值，器件会自动限制功率输出，防止过热损坏。这种内置保护功能减少了对外部保护电路的依赖，简化了系统设计并提高了整体可靠性。
　　RF1136 还具备良好的输入匹配特性，可以在较宽的频率范围内保持低输入驻波比（VSWR），从而减少信号反射和损耗，提高系统效率。此外，其高增益特性降低了对前级驱动放大器的要求，有助于降低整体系统的复杂性和成本。

RF1136 主要应用于需要高功率和高效率的射频系统中，尤其适合用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、中继器和广播发射器。它广泛支持多种无线标准，包括 GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE 等，适用于宏基站和微基站的功率放大模块设计。
　　除了通信领域，RF1136 也广泛应用于工业和医疗设备中的射频能量应用，如射频加热、等离子体生成和射频消融设备。在这些应用中，稳定的高功率输出和良好的热管理能力是关键要求。
　　此外，RF1136 也可用于军事和航空航天领域的射频发射系统，如雷达、电子对抗设备和卫星通信系统。其高可靠性和宽频率范围使其在这些对性能和稳定性要求极高的环境中表现出色。
　　由于其高线性度和宽频带特性，RF1136 还可用于软件定义无线电（SDR）平台和宽带测试设备中，作为高功率射频信号源或放大器模块。

NXP AFT05WP075N, Cree CGH40050F, STMicroelectronics STAC241S