时间：2025/4/27 17:18:12
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SENC236T3V4B 是一款高性能的贴片式陶瓷电容器，采用多层陶瓷工艺制造。该型号属于 C0G (NP0) 类介质材料，具有高稳定性和低温度系数的特点，适用于对频率特性和温度稳定性要求较高的电路应用。
其封装尺寸为 236 英寸代码 (约 2.3mm x 1.6mm)，并提供额定直流电压为 4V 的耐压性能。广泛用于滤波、耦合、旁路和信号调节等电路设计。
电容值：33pF
额定电压：4V
封装尺寸：236英寸代码 (约2.3mm x 1.6mm)
介质材料：C0G (NP0)
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
公差：±5%
直流偏置特性：无显著容量变化
SENC236T3V4B 具有以下特点：
1. 使用 C0G (NP0) 类介质材料，确保电容在宽温度范围内保持稳定的电容量。
2. 高频性能优异，适合射频和高频信号处理。
3. 耐焊接热性能强，适合回流焊工艺。
4. 小型化设计节省空间，同时具备出色的机械强度。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子工业需求。
6. 由于是无极性器件，安装简单，可靠性高。
SENC236T3V4B 电容器适用于以下领域：
1. 滤波电路中用于去除噪声和干扰信号。
2. 高频通信设备中的耦合与解耦。
3. RF 模块中的信号调节。
4. 音频放大器和其他模拟电路中的旁路功能。
5. 医疗设备、工业控制和汽车电子中的精密电路。
6. 数据通信设备中的电源管理部分。
SENC236T3V4C, KEMET C0805C33P0GACTU, TDK C1608X5R0J33P250AA
