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RF1126SB 发布时间 时间:2025/8/15 20:20:33 查看 阅读:31

RF1126SB是一款由Renesas(瑞萨电子)推出的射频功率晶体管,主要用于高频功率放大器应用。这款晶体管采用了先进的LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术,具有高功率密度、高效率和良好的线性性能。RF1126SB适用于无线基础设施、广播系统、工业和医疗设备等领域的射频功率放大器设计。

参数

工作频率范围:50 MHz - 1 GHz
  最大漏极电压:65 V
  连续漏极电流:1.2 A
  输出功率:60 W(典型值)
  增益:20 dB(典型值)
  效率:60%(典型值)
  封装类型:SOT-227

特性

RF1126SB的LDMOS技术使其在高频应用中表现出色,具备高功率密度和优异的热稳定性。该晶体管在工作频率范围内具有良好的增益和效率表现,适用于多种射频功率放大器设计。RF1126SB的封装设计优化了散热性能,确保在高功率工作条件下的可靠性和稳定性。此外,该器件具有良好的线性性能,能够满足现代通信系统对信号质量的高要求。
  该晶体管的设计使其在高电压和高电流条件下仍能保持稳定的性能,减少了功率放大器设计中的复杂性。RF1126SB的高效率特性有助于降低系统功耗和散热需求,适用于需要高可靠性和长使用寿命的应用场景。其优异的线性性能使得该晶体管能够支持多种调制格式,满足不同通信标准的需求。

应用

RF1126SB广泛应用于无线通信基础设施,如基站和中继器中的射频功率放大器。该器件也适用于广播系统中的发射机设计,能够提供稳定的高功率输出。在工业和医疗设备中,RF1126SB可用于射频能量传输和处理系统。此外,该晶体管还可用于测试设备和测量仪器中的射频信号放大和处理。

替代型号

RF1127SB, RF1128SB

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