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LESDLESD3Z5.0T1G 发布时间 时间:2025/8/13 2:54:05 查看 阅读:22

LESDLESD3Z5.0T1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的低电容ESD(静电放电)保护二极管阵列。该器件主要用于保护敏感的电子设备免受静电放电和瞬态电压的影响。LESDLESD3Z5.0T1G采用小型化的SOT-23-5封装,适合用于高密度电路设计,广泛应用于便携式电子设备、通信设备和消费类电子产品中。

参数

类型:ESD保护二极管阵列
  封装:SOT-23-5
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  最大工作电压:5.0V
  钳位电压(Vc):最大8.5V @ 1A
  峰值脉冲电流(Ipp):1A
  反向工作电压(Vrwm):5.0V
  漏电流(Ir):最大100nA
  电容(C):最大5pF(典型值)
  保护通道数:1路
  响应时间:亚纳秒级

特性

LESDLESD3Z5.0T1G具备多项优异的电气和物理特性,适用于需要高可靠性和高性能的电路保护应用。其主要特性包括:
  ? 低电容设计:该器件的典型电容值仅为5pF,使其适用于高速信号线路的保护,不会对信号完整性造成明显影响,非常适合用于USB、HDMI等高频接口的ESD保护。
  ? 快速响应时间:响应时间在亚纳秒级别,能够迅速响应静电放电事件,有效防止瞬态高压对后级电路的损害。
  ? 高峰值脉冲电流能力:支持高达1A的峰值脉冲电流,能够在ESD事件中安全地吸收并导走大量电荷,从而保护后续电路。
  ? 低漏电流:最大漏电流为100nA,确保在正常工作条件下对电路的影响最小,适用于低功耗设备的设计。
  ? 宽工作温度范围:可在-55°C至+150°C之间稳定工作,满足工业级和消费级应用的温度要求。
  ? 小型化封装:采用SOT-23-5封装,体积小巧,便于在紧凑型PCB布局中使用,适用于便携式电子产品和高密度电路板设计。
  ? 高可靠性:该器件通过了IEC 61000-4-2 Level 4的ESD测试标准,确保在严苛环境下的稳定性和耐用性。

应用

LESDLESD3Z5.0T1G被广泛应用于各种电子设备中,主要用途包括:
  ? 便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等)的接口保护,尤其是USB、耳机插孔、摄像头接口等易受ESD影响的部位。
  ? 通信设备中的信号线路保护,如以太网、RS-485、CAN总线等工业通信接口。
  ? 消费类电子产品的输入输出端口保护,如数码相机、MP3播放器、游戏机等设备的外部接口。
  ? 工业控制设备和自动化系统中用于保护敏感的模拟和数字信号线路,确保设备在复杂电磁环境中的稳定性。
  ? 汽车电子系统中用于保护车载娱乐系统、导航系统、车身控制模块等关键电子部件,防止静电和瞬态电压造成损坏。
  ? 医疗电子设备中用于保护精密传感器和接口线路,确保设备在医院环境中的可靠运行。

替代型号

LESDLESD3Z5.0T1G可以被以下型号替代或互换使用:LESD3Z5.0_2,LESDLESD3Z5.0T5G,LESDLESD3Z5.0CTR,PESD3Z5.0S1,以及NUP2105L。这些替代型号在电气性能、封装形式和保护能力方面与LESDLESD3Z5.0T1G相近,可根据具体应用需求进行选择。

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