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RF101LAM2STR 发布时间 时间:2025/12/25 13:00:01 查看 阅读:19

RF101LAM2STR是一款由RFMD(Radio Frequency Micro Devices,现为Qorvo的一部分)生产的射频前端模块(RF Front-End Module),专为无线通信应用设计,尤其适用于蜂窝移动通信系统中的功率放大和信号处理。该器件集成了功率放大器(PA)、定向耦合器以及射频开关功能,能够支持多频段操作,并提供高线性度和高效率的射频信号放大能力。RF101LAM2STR采用紧凑型封装技术,适合空间受限的便携式设备,如智能手机、平板电脑和其他无线终端设备。其内部电路经过优化,能够在保持低电流消耗的同时实现优异的输出功率和增益性能,满足现代通信标准对射频前端性能的严苛要求。该模块通常用于GSM、EDGE、WCDMA、LTE等多种无线通信协议中,具备良好的互操作性和系统兼容性。此外,RF101LAM2STR还内置了温度监控和过热保护机制,提升了系统的稳定性和可靠性。

参数

工作频率范围:824–915 MHz
  输出功率:+35 dBm(典型值)
  增益:≥ 32 dB
  供电电压:3.0–4.2 V
  静态电流:≤ 65 mA
  调制方式支持:GSM/EDGE/WCDMA/LTE
  集成组件:功率放大器、单刀双掷开关(SPDT)、定向耦合器
  封装类型:MCM(多芯片模块)
  封装尺寸:2.0 × 2.5 × 0.75 mm
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  输入匹配:50 Ω
  输出匹配:50 Ω
  谐波抑制:> 15 dBc
  隔离度:> 20 dB

特性

RF101LAM2STR的核心优势在于其高度集成化的设计理念,将多个关键射频功能整合于单一模块内,显著减少了外部元件数量和PCB布局复杂度。其内置的功率放大器采用高效的GaAs HBT工艺制造,可在宽电压范围内稳定工作,同时维持高功率附加效率(PAE),从而延长电池寿命并减少散热需求。模块内的SPDT开关支持天线切换功能,适用于分集接收或双工操作场景,具备低插入损耗和高隔离度特性,确保信号路径间的干扰最小化。定向耦合器则用于实时监测发射信号的前向与反射功率,配合外部控制电路可实现自动功率控制(APC)和驻波比(VSWR)检测,提升系统安全性和通信质量。
  该器件在设计上充分考虑了线性度与失真控制,在高输出功率下仍能保持较低的ACLR(邻道泄漏比)和EVM(误差矢量幅度),符合3GPP规范对现代蜂窝网络的要求。其输入与输出端口均已完成阻抗匹配,用户无需额外进行复杂的匹配网络设计,降低了开发难度和调试周期。此外,模块内部集成了ESD保护结构,可承受高达±2 kV的人体模型静电放电冲击,增强了生产过程中的可靠性和现场使用的耐用性。整体封装采用先进的晶圆级封装技术和表面贴装工艺,具有良好的高频特性和热传导性能,适应自动化贴片生产线的需求。

应用

主要用于智能手机、移动热点、物联网通信模块、无线数据卡等便携式无线设备中,作为主射频发射链路的核心组件。特别适用于支持四频段GSM/EDGE或多模LTE终端的设计,可用于850 MHz和900 MHz频段的信号放大与路由控制。在基站子系统、远程监控终端、车载通信单元等工业级应用中也有广泛部署。此外,也可应用于需要高集成度射频前端解决方案的智能穿戴设备、无人机通信链路及低功耗广域网(LPWAN)终端中。凭借其小型化、高性能和高稳定性,成为现代无线通信设备中不可或缺的关键元器件之一。

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RF101LAM2STR参数

  • 现有数量47,753现货
  • 价格1 : ¥3.82000剪切带(CT)3,000 : ¥0.84012卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)870 mV @ 1 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)25 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏10 μA @ 200 V
  • 不同?Vr、F 时电容-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOD-128
  • 供应商器件封装PMDTM
  • 工作温度 - 结150°C(最大)