时间：2025/9/14 14:58:07
阅读：4
BSP126,135 是由NXP Semiconductors生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TSC-82封装，具有高开关速度、低导通电阻和良好的热稳定性。适用于广泛的应用场景，包括电源管理、负载开关和电机控制等。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大漏极电流(Id)：连续2A，脉冲4A
最大栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：最大0.27Ω @ Vgs=10V
功率耗散(Ptot)：1.2W（Tamb=25°C）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装：TSC-82
BSP126,135 MOSFET具有多项优良特性。首先，其高电压能力（100V Vds）使其适用于多种中高功率应用。其次，低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下的高效运行，减少功率损耗和发热。此外，该器件的高开关速度优化了高频操作性能，从而提高了整体系统效率。内置的静电放电（ESD）保护功能增强了器件的可靠性，使其在恶劣环境中也能稳定运行。最后，该器件的封装设计提供了良好的散热性能，使其在连续工作状态下保持稳定。
BSP126,135 主要用于需要高效开关和良好热性能的电子系统中。典型应用包括DC-DC转换器、电源管理模块、电池供电设备、电机驱动器、负载开关以及工业控制电路。由于其高可靠性和小封装设计，该MOSFET也适用于空间受限的便携式设备。
BSP126,115; BSP126; 2N7002; BSS138; SI2302DS
