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RF081MM2STR 发布时间 时间:2025/12/25 10:39:04 查看 阅读:9

RF081MM2STR是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的表面贴装肖特基势垒二极管,广泛应用于需要高效能和小尺寸封装的电源管理电路中。该器件采用SOD-123FL超小型塑料封装,具有低正向电压降、快速开关响应以及高效率的特点,适用于现代电子设备中的整流、续流和反向极性保护等应用。其紧凑的设计使其非常适合在空间受限的应用场合使用,如便携式消费电子产品、通信设备和工业控制系统。此外,该器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准,表明其能够在严苛的工作环境下保持稳定性能,因此也常用于汽车电子系统中。RF081MM2STR具备良好的热稳定性和机械强度,能够承受较高的峰值电流冲击,同时在高温条件下仍能维持较低的漏电流特性,确保了长期运行的可靠性和安全性。由于采用了先进的制造工艺,该二极管在整个工作温度范围内表现出一致且可预测的电气性能,便于工程师进行精确的电路设计与优化。

参数

类型:肖特基势垒二极管
  极性:单路
  最大重复反向电压 (VRRM):40V
  最大直流反向电压 (VR):40V
  最大平均正向整流电流 (IF(AV)):1A
  峰值正向浪涌电流 (IFSM):30A
  最大正向电压降 (VF):500mV @ 1A
  最大反向漏电流 (IR):500μA @ 40V
  工作结温范围 (TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围 (TSTG):-55°C 至 +150°C
  封装/外壳:SOD-123FL
  安装类型:表面贴装
  热阻结至环境 (RθJA):200°C/W
  热阻结至引线 (RθJL):83.3°C/W

特性

RF081MM2STR的核心优势在于其低正向电压降特性,在1A电流下典型值仅为500mV,这显著降低了导通损耗,提高了整体电源转换效率,特别适合用于电池供电设备或对能效要求较高的应用场景。其快速恢复能力意味着几乎没有反向恢复电荷(Qrr),从而减少了开关过程中的能量损耗,并有效抑制了电磁干扰(EMI)的产生,使得该器件在高频开关电源、DC-DC转换器和谐振电路中表现优异。该器件的SOD-123FL封装不仅体积小巧(约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm),还具备优良的散热性能,有助于将芯片产生的热量迅速传导至PCB,提升功率密度和长期工作的稳定性。产品通过了AEC-Q101认证,证明其在极端温度循环、湿度、振动和寿命测试中均能满足汽车电子的严苛标准,可用于车载充电系统、LED照明模块和电机驱动电路。此外,该二极管具有出色的抗浪涌能力,能够承受高达30A的非重复浪涌电流,增强了系统在瞬态过载情况下的鲁棒性。器件的反向漏电流在高温下控制良好,即使在+125°C时也保持在较低水平,避免因漏电增加而导致的功耗上升和热失控风险。
  从制造角度看,RF081MM2STR采用成熟的硅肖特基技术,结合优化的金属-半导体接触结构,实现了低接触电阻和高可靠性。其无铅(Pb-free)和符合RoHS指令的设计,满足现代绿色电子产品的环保要求。该器件支持自动贴片工艺,适合大规模SMT生产线使用,提升了生产效率和一致性。其电气参数经过严格筛选和测试,保证批次间的一致性,为批量产品提供了质量保障。作为一款通用型高性能肖特基二极管,RF081MM2STR在成本、性能和可靠性之间取得了良好平衡,是替代传统快恢复二极管的理想选择。它还能与其他电源管理元件协同工作,例如与低压降稳压器(LDO)、同步整流控制器配合使用,进一步提升系统的综合效能。总之,这款器件凭借其卓越的电气性能、紧凑封装和高可靠性,已成为众多中低功率电源应用中的首选元件之一。

应用

主要用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电池充电管理系统、便携式电子设备电源适配器、汽车电子系统(如车身控制模块、信息娱乐系统)、LED驱动电源、太阳能板旁路保护、防反接电路以及各种需要高效整流和快速响应的场合。

替代型号

RB081M-40,SMAJ40A,MBR140

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RF081MM2STR参数

  • 现有数量354,668现货
  • 价格1 : ¥3.90000剪切带(CT)3,000 : ¥0.86961卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)800mA
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)950 mV @ 800 mA
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)25 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏10 μA @ 200 V
  • 不同?Vr、F 时电容-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOD-123F
  • 供应商器件封装PMDU
  • 工作温度 - 结150°C(最大)