DSA707-26 时间：2025/8/5 17:24:18 阅读：17

DSA707-26 是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）生产的双N沟道增强型MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。其SOT26封装形式使其适用于空间受限的便携式设备和高密度电路板设计。

参数

类型：MOSFET（双N沟道增强型）
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：500mA（每个通道）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为3.5Ω（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOT26

特性

DSA707-26具有多项优异的电气和物理特性。首先，其双N沟道MOSFET结构允许在同一封装中实现两个独立的开关通道，从而减少电路板空间和元件数量。其次，该器件采用了先进的Trench MOSFET工艺技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），提高了电流处理能力和效率。此外，其最大漏源电压为30V，适用于多种中低电压应用场景，如电源管理和负载开关。
　　 DSA707-26的栅源电压范围为±20V，具有较高的栅极驱动兼容性，能够与多种控制器和驱动电路配合使用。该器件的连续漏极电流为500mA，足以满足许多便携式设备和低功耗系统的电流需求。同时，其SOT26封装具备良好的热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　在开关性能方面，DSA707-26具有快速的开关响应时间，能够有效降低开关损耗并提高系统的整体效率。其低输入电容和跨导特性使得驱动损耗更小，适合高频应用。此外，该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备较强的环境适应能力，能够在恶劣温度条件下稳定工作。

应用

DSA707-26适用于多种电子系统和模块中的开关和控制功能。常见应用包括电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路以及各种便携式电子产品中的功率控制部分。此外，该器件还可用于LED驱动电路、传感器接口电路和工业自动化控制系统中。其双通道结构和SOT26封装形式特别适合空间受限和需要高集成度的电路设计。