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IRFB7540PBF 发布时间 时间:2025/5/14 17:05:21 查看 阅读:3

IRFB7540PBF是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-263封装,适用于需要高效率、低导通电阻和快速开关性能的应用场合。其主要特点是低导通电阻和高电流处理能力,广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
  这款MOSFET的耐压为60V,能够满足大多数低压应用需求。同时,其优异的热特性和电气特性使其成为工业、消费电子及汽车领域中常用的选择。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:49A
  导通电阻:2.8mΩ
  总栅极电荷:31nC
  输入电容:1320pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低导通损耗,提高系统效率。
  2. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  3. 快速开关速度,有助于减少开关损耗。
  4. 符合RoHS标准,环保设计。
  5. 耐热增强型TO-263封装,提供良好的散热性能。
  6. 优化的电气参数,适用于高频开关应用。
  7. 支持高电流输出,适合大功率场景。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级元件。
  4. 工业自动化设备中的负载控制。
  5. 汽车电子系统中的电池保护与配电管理。
  6. 各种消费类电子产品中的电源管理模块。

替代型号

IRFB7540TRPBF, IRFB7540NPBF

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IRFB7540PBF参数

  • 现有数量522现货
  • 价格1 : ¥13.44000管件
  • 系列HEXFET?, StrongIRFET?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)110A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.1 毫欧 @ 65A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)130 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4555 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)160W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220
  • 封装/外壳TO-220-3