IRFB7540PBF是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-263封装,适用于需要高效率、低导通电阻和快速开关性能的应用场合。其主要特点是低导通电阻和高电流处理能力,广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
这款MOSFET的耐压为60V,能够满足大多数低压应用需求。同时,其优异的热特性和电气特性使其成为工业、消费电子及汽车领域中常用的选择。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:49A
导通电阻:2.8mΩ
总栅极电荷:31nC
输入电容:1320pF
工作温度范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低导通损耗,提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
3. 快速开关速度,有助于减少开关损耗。
4. 符合RoHS标准,环保设计。
5. 耐热增强型TO-263封装,提供良好的散热性能。
6. 优化的电气参数,适用于高频开关应用。
7. 支持高电流输出,适合大功率场景。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 工业自动化设备中的负载控制。
5. 汽车电子系统中的电池保护与配电管理。
6. 各种消费类电子产品中的电源管理模块。
IRFB7540TRPBF, IRFB7540NPBF