时间：2025/9/4 2:01:38
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MTP10N40E是一款由Magnecomp（美格纳半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件设计用于高电压和高电流应用，具备良好的导通特性和较高的可靠性。MTP10N40E广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：10A
漏源电压（VDS）：400V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.65Ω @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
MTP10N40E具有较低的导通电阻，使其在高电流条件下具备良好的效率表现。其高耐压特性（400V）适用于多种高压电源应用。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的栅源电压，增强了设计灵活性。同时，MTP10N40E具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在恶劣环境中稳定工作。
此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关电路，有助于减少开关损耗。其TO-220封装形式便于散热设计，适用于各种中功率和高功率电子设备。
MTP10N40E广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制器和负载开关等电源管理系统。此外，该器件也适用于工业自动化设备、充电器、逆变器以及消费类电子产品的电源控制模块。
IRF840、FQA10N40、STP10NK40Z、2SK2141
