型号：6N50-TC2
　　制造商：UTC（Unisonic Technologies Co., Ltd.）
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：6A（@Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：24A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　功耗（Pd）：125W（@Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.85Ω（@Vgs=10V, Id=3A）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V（@Id=250μA）
　　输入电容（Ciss）：典型值700pF（@Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：典型值190pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值45pF
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值15ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F

6N50-TC2具备多项关键特性，使其在中高压功率开关应用中表现出色。首先，其500V的高漏源击穿电压确保了在高压电源系统中的安全运行，适用于离线式开关电源设计，无需额外复杂的电压钳位电路即可承受瞬态过压冲击。其次，该器件拥有较低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时典型值仅为0.85Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率，尤其在持续负载工况下优势明显。
　　该MOSFET采用先进的平面栅极工艺，优化了载流子迁移路径，从而实现了快速的开关响应能力。其输入电容和反向传输电容较小，有助于减少驱动电路的负担，并降低高频开关过程中的能量损耗。同时，较短的开启和关断延迟时间（分别为15ns和45ns左右）使得器件能够支持高达数十kHz甚至更高的开关频率，适用于高性能DC-DC变换器和PWM控制电路。
　　6N50-TC2还具备良好的热稳定性与长期可靠性。其最大功耗可达125W（在壳温25°C条件下），结合TO-220封装良好的热传导性能，可通过外接散热片有效散发工作热量，防止因温升导致的性能下降或热失控。此外，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，在突发短路或电感负载断开时能有效吸收瞬态能量，避免永久性损坏，增强了系统的鲁棒性。
　　在栅极驱动方面，±30V的栅源电压容限提供了较大的设计余量，防止因驱动信号波动造成栅氧层击穿。阈值电压范围适中（2.0V~4.0V），兼容标准逻辑电平驱动器，同时也可使用专用MOSFET驱动IC实现更精确的控制。综合来看，6N50-TC2在性能、可靠性和成本之间取得了良好平衡，是中小功率电力电子系统中的优选器件之一。

6N50-TC2广泛应用于多种需要高效、高压开关能力的电力电子系统中。最常见的应用场景包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、充电器、PC电源等，作为主开关管或同步整流管使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率并减小体积。在DC-DC转换器中，无论是升压（Boost）、降压（Buck）还是反激式（Flyback）拓扑结构，6N50-TC2都能胜任功率开关角色，特别是在输入电压较高的情况下表现优异。
　　该器件也常用于LED照明驱动电源，尤其是在高亮度LED恒流驱动模块中，作为主控开关元件，确保稳定的电流输出和高效的能量转换。在工业控制领域，6N50-TC2可用于电机驱动电路、继电器驱动模块或电磁阀控制单元，实现对负载的快速通断控制。此外，在逆变器系统（如UPS不间断电源、太阳能微逆变器）中，它可作为桥式电路的一部分，参与直流到交流的能量转换过程。
　　由于其具备较强的抗干扰能力和温度适应性，6N50-TC2也被应用于家电产品内部的电源模块，例如空调、洗衣机、微波炉等设备的辅助电源或控制电路中。在电子镇流器、电池管理系统（BMS）以及各类工业电源模块中也有广泛应用。总体而言，凡涉及500V以内高压开关、中等电流等级且对效率有要求的场合，6N50-TC2均是一个可靠且经济的选择。

6N60, 6N50C, FQPF5N50, K2543, 2SK3569