时间：2025/11/7 21:39:17
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RF051VA1STR是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），主要用于高频开关电源、DC-DC转换器、续流与极性保护等应用。该器件采用先进的平面工艺制造，具备低正向电压降和快速开关特性，能够有效提升电源系统的效率并减少热损耗。RF051VA1STR封装在SMA扁平引线表面贴装封装中，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于自动化贴片生产流程。其额定平均正向电流为1A，最大重复峰值反向电压为50V，适合低压大电流整流场合。由于采用了肖特基势垒技术，该二极管不存在少子存储效应，因此反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计，这使得它在高频工作环境下表现优异。此外，该器件符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环保和可靠性的双重要求。广泛应用于消费类电子设备、通信电源模块、笔记本电脑适配器以及便携式电源系统中。
类型：肖特基二极管
配置：单只
工作温度：-65℃ ~ 150℃
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：DO-214AC，SMA
最大直流反向电压（Vr）：50 V
最大平均整流电流（Io）：1 A
最大正向压降（Vf）：600 mV @ 1A
反向漏电流（Ir）：500 μA @ 50 V
反向恢复时间（trr）：< 5 ns
功率耗散（Pd）：1 W
RF051VA1STR的核心优势在于其基于铂掺杂硅的肖特基势垒结构设计，这种材料组合显著优化了载流子传输效率，同时抑制了高温下的漏电流增长趋势。在正常工作条件下，当通过1A电流时，其典型正向压降仅为580mV左右，最高不超过600mV，这意味着导通损耗远低于传统PN结二极管，有助于提高整体能效并降低温升。该器件的反向恢复时间被控制在5ns以内，几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），从而避免了高频开关过程中因反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰问题，提升了系统稳定性。其最大重复反向电压为50V，足以覆盖大多数12V、24V及以下的直流电源应用场景，如USB供电、电池管理系统、LED驱动电路等。器件的工作结温范围宽达-65℃至+150℃，可在极端环境温度下保持稳定性能，特别适合汽车电子或工业控制领域中的严苛条件。SMA封装不仅体积小巧（约4.3mm x 2.7mm x 2.1mm），还具备优良的热传导路径，允许通过PCB铜箔进行有效散热。该产品经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储寿命（HTSL）和温度循环试验，确保长期使用的耐用性。所有电气参数均在标准测试条件下测定，并提供完整的数据手册供设计参考。
值得一提的是，RF051VA1STR具有出色的浪涌电流承受能力，可短暂承受高达30A的非重复浪涌电流（半正弦波，8.3ms），增强了其在电源启动或负载突变情况下的鲁棒性。该器件对静电敏感度较低，但仍建议在ESD防护环境下操作以保证装配良率。其低电容特性（典型值约为100pF）也使其适用于高频信号整流或检波电路。综合来看，RF051VA1STR是一款兼顾高性能、高可靠性和高集成度的理想选择，尤其适用于追求小型化与高效能平衡的设计方案。
广泛用于开关模式电源（SMPS）中的输出整流级，特别是在同步整流架构中作为辅助二极管使用；适用于DC-DC升压、降压及反激式转换器中的续流路径；常见于便携式设备如智能手机、平板电脑的充电管理模块中用于防止反向电流；也可作为电池反接保护元件应用于锂电池供电系统；在太阳能充电控制器、LED照明驱动电源中发挥高效的能量传递作用；此外，在服务器电源、网络通信设备电源板以及车载信息娱乐系统的DC电源轨中也有广泛应用。
RB051L-40,S1HF50,RJL5001A,RHRP150
