类型：MOSFET（双N沟道增强型）
　　漏极电流（Id）：300mA（每个通道）
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：20V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±12V
　　导通电阻（Rds(on)）：2.8Ω（最大值，Vgs=4.5V）
　　功率耗散：200mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TSOP

SSRK7002DW1T1G具有多项优异特性，使其适用于各种高性能开关应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在低电压条件下的高效能运行，降低了功率损耗并提高了系统效率。其次，该器件具有高开关速度，使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、负载开关和电源管理模块。此外，该器件的热稳定性良好，可在高温度环境下稳定工作，提升了系统的可靠性和耐久性。
　　该器件的TSOP封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，而且具备良好的散热性能，有助于降低温度对性能的影响。此外，该器件具有良好的抗静电能力（ESD），能够在一定程度上防止因静电放电导致的损坏，提升了在复杂电子系统中的适用性。
　　由于其双N沟道结构，SSRK7002DW1T1G可同时控制两个独立的负载或用于H桥电路中，提供灵活的电路设计方案。其宽工作温度范围也使其适用于工业级和汽车电子应用。

SSRK7002DW1T1G广泛应用于各种低电压电源管理系统和高效能开关电路中。常见的应用包括便携式电子产品中的负载开关、电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器、LED驱动电路、H桥电机控制电路、逻辑电平转换器以及各类低功耗工业控制设备。由于其具备良好的高频响应和热稳定性，该器件也非常适合用于需要快速开关控制的自动化控制系统中，如智能电表、传感器模块和嵌入式系统电源管理单元。此外，在汽车电子领域，SSRK7002DW1T1G也可用于车载电源管理系统、车内照明控制模块以及车载信息娱乐系统的电源管理电路。

Si2302DS, 2N7002, BSS138