LM5109B-Q1 是一款由德州仪器 (TI) 提供的高侧和低侧栅极驱动器集成电路,专为汽车级应用设计。该芯片具有强大的驱动能力,适用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT,广泛用于DC-DC转换器、电机驱动、开关电源以及其他需要高效功率控制的场合。
LM5109B-Q1支持高达3.5A的峰值拉电流和推电流,并且提供独立的高侧和低侧输出通道,能够直接与电池或其他高压电源连接工作。此外,该器件还内置了多种保护功能,如欠压锁定(UVLO)、可编程死区时间以及短路保护,确保系统安全可靠运行。
供电电压:4.5V至28V
峰值输出电流:±3.5A
输入逻辑兼容性:CMOS/TTL
传播延迟:典型值75ns
死区时间可调范围:10ns至1μs
工作结温范围:-40℃至150℃
封装形式:SOIC-8, PW-8
LM5109B-Q1具备以下关键特性:
1. 高驱动能力:支持高达±3.5A的峰值拉电流和推电流,确保快速且高效的MOSFET或IGBT切换。
2. 独立高低侧驱动:高侧和低侧输出完全独立,方便灵活配置。
3. 宽工作电压范围:支持4.5V到28V的宽输入电压范围,适应不同电源环境。
4. 汽车级认证:符合AEC-Q100标准,适用于严苛的汽车电子应用。
5. 内置保护功能:包括欠压锁定(UVLO)、短路保护等功能,提高系统可靠性。
6. 死区时间可调:通过外部电容设置,避免高低侧同时导通引起的直通问题。
7. 快速响应速度:传播延迟仅为75ns,适合高频开关应用。
LM5109B-Q1广泛应用于以下领域:
1. 汽车电子:如启停系统、DC-DC转换器、车载充电器等。
2. 工业控制:如伺服驱动器、逆变器和开关电源等。
3. 通信设备:用于电信基站中的功率管理模块。
4. 消费类电子产品:如笔记本适配器、LED驱动电源等。
该芯片因其强大的驱动能力和高可靠性,在需要高效功率转换和精确控制的应用中表现出色。
LM5109BDBVR, LM5109BHVS-Q1